[发明专利]鳍式场效晶体管

权利要求书

1.一种鳍式场效晶体管，包含：

一基板，包含一晶状半导体物质，并包含一顶层表面，该顶层表面具有一第一晶面方向；

包含该晶状半导体物质的一鳍式结构，覆盖于该基板上；

一栅极结构，覆盖于该鳍式结构的一部份；

一外延层，覆盖于该鳍式结构的一另一部份，该外延层包含一表面，该表面具有一第二晶面方向；

其中该外延层以及该外延层下的该鳍式结构包含一漏极区以及一源极区，该漏极区以及该源极区通过该栅极结构隔离；以及

一通道，定义于该鳍式结构中，自该源极区延伸至该漏极区，并与该基板的顶层表面以及该外延层的表面沿一平行方向对齐。

2.如权利要求1所述的鳍式场效晶体管，其中第一晶面方向为(001)，第二晶面方向为(110)，与该外延层的表面平行的通道是对齐于<110>的方向。

3.如权利要求1所述的鳍式场效晶体管，其中该外延层包含硅与硅锗(SiGe)至少其中之一，且该外延层包含掺杂有含硼掺杂物的硅。

4.如权利要求1所述的鳍式场效晶体管，其中该外延层的一上表面与该基板的顶层表面平行，该外延层的二侧壁表面与该外延层的上表面垂直。

5.如权利要求4所述的鳍式场效晶体管，其中该外延层的上表面具有该第一晶面方向，该外延层的二侧壁表面具有该第二晶面方向。

6.如权利要求1所述的鳍式场效晶体管，其中该外延层是由一镶嵌工艺形成，该镶嵌工艺包含：

形成一覆盖层以覆盖该基板、该鳍式结构以及该栅极结构；

对该覆盖层进行图案化，以形成一开口，其中该开口使该鳍式结构的第二部份曝露；

于该鳍式结构的第二部份上的开口长成外延层；以及

移除该覆盖层。

7.如权利要求1所述的鳍式场效晶体管，其中该外延层是由一镶嵌工艺形成，该镶嵌工艺包含：

移除该鳍式结构的第二部份以形成一凹槽部于该鳍式结构上；

形成一覆盖层以覆盖该基板、该鳍式结构以及该栅极结构；

对该覆盖层进行图案化，以形成一开口，其中该开口使该鳍式结构的凹槽部曝露；

于该鳍式结构的凹槽部上的开口长成外延层；以及

移除该覆盖层。

8.一种鳍式场效晶体管，包含：

包含一鳍式结构的一基板，该基板包含一晶状半导体物质，并包含一顶层表面，该顶层表面具有一第一晶面方向；

一栅极结构，覆盖于该鳍式结构的一部份，该栅极结构是横跨该鳍式结构；

一外延层，覆盖于该鳍式结构的一另一部份，该外延层包含一第一表面、一第二表面以及一第三表面，该外延层的第一表面与该基板的顶层表面平行，该外延层的第二表面以及第三表面与该外延层的第一表面垂直，且该第二表面以及该第三表面具有一第二晶面方向；以及

一漏极区以及一源极区，形成于该外延层，并定义位于该鳍式结构中，自该源极区延伸至该漏极区的一通道，该通道对齐于该第一表面以及该第二表面间定义的一交界线的方向。

9.如权利要求8所述的鳍式场效晶体管，其中该鳍式结构以及该外延层沿该通道的一侧剖面具有一矩形横切面。

10.如权利要求8所述的鳍式场效晶体管，该第一晶面方向为(001)，该第二晶面方向为(110)，其中与该外延层的表面平行的通道是对齐于<110>的方向。

11.一种鳍式场效晶体管，包含：

包含一鳍式结构覆盖于上的一半导体基板，该鳍式结构包含一顶部表面，与该半导体基板包含的一顶层表面平行，其中该顶部表面以及该顶层表面具有(001)的晶面方向；

一栅极结构，是横跨该鳍式结构，并隔离该鳍式结构的一漏极区以及一源极区，其中该漏极区以及该源极区之间定义一通道，该通道对齐于<110>的方向；以及

该漏极区以及该源极区包含的一外延层，该外延层具有一上表面以及二侧壁表面，其中该上表面具有(001)的晶面方向，该二侧壁表面具有(110)的晶面方向。

12.如权利要求11所述的鳍式场效晶体管，其中该外延层包含硅与硅锗至少其中之一。