[发明专利]过热保护电路以及电源用集成电路

权利要求书

1.一种过热保护电路，其检测温度的上升，保护电路以免过热，其特征在于，该过热保护电路具有：

PN接合元件，其输出与温度成比例的正向电压；

基准电压电路，其具有工作在弱反型区的晶体管；以及

电压比较电路，其对所述PN接合元件的正向电压与所述基准电压电路的输出电压进行比较。

2.根据权利要求1所述的过热保护电路，其特征在于，

所述基准电压电路具有：

电流产生电路，其具有：第1MOS晶体管，其栅极端子与漏极端子连接，源极端子与接地端子连接；与所述第1MOS晶体管相同导电型的第2MOS晶体管，其栅极端子与所述第1MOS晶体管的栅极端子连接；和第1电阻元件，其连接在所述第2MOS晶体管的源极端子与所述接地端子之间；

与所述电流产生电路连接的电流镜电路；以及

第2电阻元件，其一个端子与所述电流镜电路连接，另一个端子与所述接地端子连接，具有与所述第1电阻元件相同的温度系数，将所述一个端子作为第1温度电压输出端子，

所述第1MOS晶体管和所述第2MOS晶体管工作在弱反型区。

3.根据权利要求2所述的过热保护电路，其特征在于，

所述PN接合元件是二极管，其正极端子与所述电流镜电路连接，负极端子与所述接地端子连接，将所述正极端子作为第2温度电压输出端子。

4.根据权利要求1所述的过热保护电路，其特征在于，

所述基准电压电路具有：

电流产生电路，其具有：第1MOS晶体管，其源极端子与接地端子连接；与所述第1MOS晶体管相同导电型的第2MOS晶体管，其源极端子与所述接地端子连接，栅极端子与所述第1MOS晶体管的漏极端子连接；和第1电阻元件，其连接在所述第1MOS晶体管的栅极端子与漏极端子之间；

与所述电流产生电路连接的电流镜电路；以及

第2电阻元件，其一个端子与所述电流镜电路连接，另一个端子与所述接地端子连接，具有与所述第1电阻元件相同的温度系数，将所述一个端子作为第1温度电压输出端子，

所述第1MOS晶体管和所述第2MOS晶体管工作在弱反型区。

5.根据权利要求4所述的过热保护电路，其特征在于，

所述PN接合元件是二极管，其正极端子与所述电流镜电路连接，负极端子与所述接地端子连接，将所述正极端子作为第2温度电压输出端子。

6.根据权利要求2所述的过热保护电路，其特征在于，

所述PN接合元件是二极管，其正极端子与无温度依赖性的恒流电路连接，负极端子与所述接地端子连接，将所述正极端子作为第2温度电压输出端子。

7.根据权利要求1所述的过热保护电路，其特征在于，

所述基准电压电路具有：

电流产生电路，其具有：第1MOS晶体管，其栅极端子与漏极端子连接，源极端子与接地端子连接；与所述第1MOS晶体管相同导电型的第2MOS晶体管，其栅极端子与所述第1MOS晶体管的栅极端子连接；和第1电阻元件，其连接在所述第2MOS晶体管的源极端子与所述接地端子之间；以及

与所述电流产生电路连接的电流镜电路，

所述第1MOS晶体管和所述第2MOS晶体管工作在弱反型区。

8.根据权利要求7所述的过热保护电路，其特征在于，

所述PN接合元件是二极管，其正极端子与所述电流镜电路连接，负极端子与所述接地端子连接，将所述正极端子作为第2温度电压输出端子。

9.根据权利要求1所述的过热保护电路，其特征在于，

温度上升时所述电压比较电路的输出电压发生反转的温度与温度下降时所述电压比较电路的输出电压发生反转的温度具有滞后特性。

10.一种电源用集成电路，其具有权利要求1所述的过热保护电路。