[发明专利]镀膜装置无效
申请号: | 201010206037.1 | 申请日: | 2010-06-22 |
公开(公告)号: | CN102296284A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 裴绍凯 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/455 |
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地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 镀膜 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种镀膜装置。
背景技术
传统的电浆式镀膜的优点是利用所通入的气体不同,可达到在待镀基板上镀不同膜层之目的,且其成膜效果佳。缺点是电浆式镀膜设备通常只开设有一个镀膜腔体,一般情况下只能镀单层膜。当需要镀多层膜时,每次都需要重新抽真空及破真空,不易做到连续性处理,过程耗时,效率低下。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种能够提高效率且成本较低的镀膜装置。
一种镀膜装置,其包括:外壳,呈中空状,其上设置有至少一个用于通入第一反应气体的第一进气管以及一个用于通入第二反应气体的第二进气管;反应装置,其包括一外筒及一内筒,该外筒收容于该外壳内,该内筒与该外筒同轴设置,该外壳与该外筒之间形成一个镀膜腔,该外筒与该内筒之间形成一个与该第一进气管连通的第一腔体,该第一腔体用于容纳第一反应气体;该内筒形成有一个与该第二进气管连通的第二腔体,该第二腔体用于收容第二反应气体;该外筒侧壁上开设有至少一个第一通孔、至少一个第二通孔及至少一个基板槽,该基板槽用于收容待镀基板并使得待镀基板暴露在镀膜腔内;该第一通孔连通该第一腔体与该镀膜腔以允许该第一腔体的第一反应气体沉积在基板上;该内筒上设有多个对应第二通孔的导气管,每个导气管穿过该第二通孔连通第二腔体与该镀膜腔以允许该第二反应气体沉积在基板上;及控制装置,其用于在预定的不同时间段内控制该反应装置内的第一反应气体与第二反应气体分别通入所述第一腔体与所述第二腔体,以使得第一反应气体与第二反应气体在不同时间段内沉积在基板上,从而获得多层膜。
与现有技术相比,本发明的镀膜装置内开设有第一腔体、第二腔体以及镀膜腔,能够利用所通入的气体不同,可达到在待镀基板上连续镀不同膜层之目的,从而避免每次镀膜均需要重新抽真空及破真空,提高了工作效率。
附图说明
图1为本发明的较佳实施方式的镀膜装置的组装图。
图2为图1的镀膜装置除去其中的控制器后的分解示意图。
图3为图1的镀膜装置另一视角的分解示意图。
图4的图1的镀膜装置的立体剖示图。
图5的图1的镀膜装置的平面剖示图。
主要元件符号说明
镀膜装置 100
外壳 10
筒体 11
底盘 12
抽真空管 13
第一进气管 14
第二进气管 15
电子管 16
中心轴 101
上端板 111
侧板 113
通孔 115
第一圆台凸缘 121
第二圆台凸缘 123
反应装置 20
外筒 21
内筒 22
镀膜腔 23
第一腔体 24
第二腔体 25
进气管 26
外筒侧板 211
外筒上盖 213
第一表面 211a
第二表面 211b
第三表面 211c
基板槽 211d
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的