[发明专利]用于制造液体排出头的方法有效
申请号: | 201010205941.0 | 申请日: | 2010-06-17 |
公开(公告)号: | CN101927604A | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
发明(设计)人: | 加藤雅隆;早川和宏 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | B41J2/16 | 分类号: | B41J2/16 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 康建忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 液体 出头 方法 | ||
1.一种具有在第一表面侧具有产生用于排出液体的能量的能量产生元件的硅基板和用于向能量产生元件供给液体的供给口的液体排出头用的基板的制造方法,包括依此次序的以下步骤:
提供在第一表面上具有由绝缘材料构成的绝缘层并在作为第一表面的背面的第二表面上具有带有多个开口的蚀刻掩模层的硅基板,其中,绝缘层被设置在从与所述开口内部相对的位置到与掩模层的相邻的开口之间的部分相对的位置的区域中;和
在使用蚀刻掩模层作为掩模的同时,通过用反应离子蚀刻技术从多个开口蚀刻硅基板的硅部分以使得蚀刻的区域达到绝缘层的与开口内部相对的部分,形成与多个相邻的开口对应的要成为供给口的孔,其中,通过反应离子蚀刻技术蚀刻被设置在相邻的孔之间的硅壁,使得所述硅壁的第一表面侧的部分能够比其的第二表面侧的部分薄。
2.根据权利要求1的方法,其中,通过反应离子蚀刻技术蚀刻硅基板,使得相邻的孔在第二表面侧由壁相互分隔开,并且在第一表面侧相互连通。
3.根据权利要求1的方法,其中,在反应离子蚀刻技术中使用的蚀刻气体包含具有氟原子的化合物。
4.根据权利要求3的方法,其中,所述蚀刻气体包含SF6气体、CF4气体、C4F8气体和CHF3气体中的至少一种。
5.根据权利要求1的方法,其中,硅壁的第一表面侧的部分通过开槽效应变薄。
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