[发明专利]原位自生长纳米碳复合材料的制备方法无效
| 申请号： | 201010204539.0 | 申请日： | 2010-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101872651A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 朱申敏;张荻;刘庆雷;李尧 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01B1/04 | 分类号： | H01B1/04;H01B13/00;H01G9/042 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 原位 生长 纳米 复合材料 制备 方法 | ||
1.一种原位自生长纳米碳复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)原位自生长纳米碳基体材料的制备；
(2)碳基体材料表面处理；
(3)配制金属氧化物前驱体溶液；
(4)将步骤(2)制备得到的碳基体材料0.2g加入到步骤(3)配制的前驱体溶液中，经超声处理、冲洗、干燥，在氮气保护下烧结，得到原位自生长纳米碳复合材料。
2.根据权利要求1所述的原位自生长纳米碳复合材料的制备方法，其特征是，步骤(1)中所述的原位自生长纳米碳基体材料的制备，方法如下：
a.将活性碳材料1.0-10g加入到2.2-100ml的水以及0.55-10g Fe(NO3)3·9H2O的水溶液中研磨均匀，干燥；
b.将上述干燥好的混合物放入烧结炉中进行热处理：先升温到450℃，保温半个小时，再升温到700-1000℃，保温一个小时，自然降温到室温；
c.将上述材料放入10-15％的盐酸溶液中，50℃搅拌5h，然后过滤，80℃干燥，得到的固体物质即为原位自生长纳米碳基体材料。
3.根据权利要求1所述的原位自生长纳米碳复合材料的制备方法，其特征是，步骤(2)中所述的表面处理，是指：为了让金属氧化物均匀分散在碳材料的表面，复合材料制备前，碳基体材料表面用浓硝酸处理，80℃回流3h，然后80℃干燥，即得到表面羧基化的碳基体材料。
4.根据权利要求1所述的原位自生长纳米碳复合材料的制备方法，其特征是，步骤(3)中所述的溶液是金属盐的水溶液或醇溶液，溶液的浓度为0.01-1M。
5.根据权利要求1所述的原位自生长纳米碳复合材料的制备方法，其特征是，步骤(4)中所述的超声处理，时间为1-6h。
6.根据权利要求1所述的原位自生长纳米碳复合材料的制备方法，其特征是，步骤(4)中所述的在氮气保护下烧结为于450℃烧结5h。
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