[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，包括一导电基板及位于导电基板一侧表面的一磊晶层，所述磊晶层包括依次堆叠于导电基板上的一p型氮化镓层、一发光量子阱层及一n型氮化镓层，其特征在于：所述磊晶层内设置有若干贯穿其上下表面的沟槽，所述n型氮化镓层于远离p型氮化镓层的外侧表面上覆盖有一透明导电层，一金属衬垫设置于所述透明导电层上。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电层完全覆盖所述n型氮化镓层的外侧表面，所述衬垫设置于所述透明导电层的中部。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电层为一由铟锡氧化物或镍金混合物制成的薄膜，其电阻小于所述n型氮化镓层的电阻。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述沟槽分别沿所述磊晶层的纵向及横向延伸，所述沟槽相互连通且在纵向及横向上分别间隔设置。

5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述磊晶层的宽度为100μm至5000μm，所述沟槽的宽度为1至10μm。

6.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述沟槽将磊晶层分割成若干等距离间隔的长方柱，这些长方柱形成一矩阵。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述沟槽内填满有填充物，所述填充物的上表面与所述n型氮化镓层的外侧表面共面。

8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述填充物为二氧化硅。

9.制造如权利要求1至8任一项所述的发光二极管的制造方法，包括如下步骤：

提供一衬底；

于该衬底的一侧表面上形成一磊晶层，所述磊晶层包括自所述衬底上依次堆叠形成的一n型氮化镓层、一发光量子阱层、一p型氮化镓层；

于所述p型氮化镓层的外侧表面形成一导电基板；

剥离所述衬底，使所述n型氮化镓层一侧的表面外露；

蚀刻所述磊晶层，使所述磊晶层内形成有若干贯穿其上下表面的沟槽；

提供一透明导电层，并将所述透明导电层贴设于所述n型氮化镓层外露的表面上；及

提供一导电衬垫，将所述衬垫固定于所述透明导电层上。

10.如权利要求9所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：贴设所述透明导电层于所述n型氮化镓层外露的表面之前，在所述沟槽内填充有填充物。

11.如权利要求10所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述填充物为二氧化硅。

12.如权利要求9所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述透明导电层完全覆盖所述n型氮化镓层外露的表面上，所述衬垫设置于所述透明导电层的中部。

13.如权利要求9所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述沟槽分别沿所述磊晶层的纵向及横向延伸，所述沟槽相互连通且在纵向及横向上分别间隔设置。

14.如权利要求13所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述沟槽将磊晶层分割成若干等距离间隔的长方柱，这些长方柱形成一矩阵。