[发明专利]一种高精度的电流源参考电路有效

专利信息
申请号: 201010203964.8 申请日: 2010-06-09
公开(公告)号: CN102279615A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 许丹 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: G05F3/16 分类号: G05F3/16
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李丽
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 高精度 电流 参考 电路
【权利要求书】:

1.一种高精度的电流源参考电路,包括基准电路和电流输出电路,其特征在于:

所述基准电路包括第一MOS管和裂栅晶体管,第一MOS管的源极与电压电源相连,栅极和漏极连接,漏极和裂栅晶体管的源极连接;裂栅晶体管的漏极接地,栅极和源极连接。

2.如权利要求1所述的高精度的电流源参考电路,其特征在于,所述电流输出电路包括至少一个分支电路,每个分支电路包括第二MOS管和电流源,所述第二MOS管的源极连接在所述电压电源上,栅极与第一MOS管的栅极连接,漏极连接电流源并通过该电流源输出参考电流。

3.如权利要求2所述的高精度的电流源参考电路,其特征在于,所述电流输出电路包括第一分支电路和第二分支电路;所述第一分支电路包括第三MOS管和第一电流源,所述第二分支电路包括第四MOS管和第二电流源;所述第三MOS管的源极连接在所述电压电源上,栅极与第一MOS管的栅极连接,漏极连接第一电流源并通过第一电流源输出第一参考电流;所述第四MOS管的源极连接在所述电压电源上,栅极与第一MOS管的栅极连接,漏极连接第二电流源并通过第二电流源输出第二参考电流。

4.如权利要求3所述的高精度的电流源参考电路,其特征在于,所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管均为PMOS管,所述裂栅晶体管为裂栅NMOS管。

5.如权利要求2所述的高精度的电流源参考电路,其特征在于,所述各个分支电路中的第二MOS管与所述第一MOS管相同。

6.如权利要求2所述的高精度的电流源参考电路,其特征在于,所述各个分支电路中的第二MOS管各不相同。

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