[发明专利]CPU供电电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种供电电路，特别是一种CPU供电电路。

背景技术

目前，许多主板均采用如图1所示的CPU供电电路，该CPU供电电路利用一PWM(Pulse-Width Modulation，脉宽调制)控制芯片输出四路PWM信号，每一路PWM信号通过一个驱动IC(Integrated Circuit，集成电路)控制一对MOSFET(场效应管)的导通、断开以调整电压输出。这些MOSFET的开关频率通常为220kHZ(千赫兹)，然而在CPU的温度过高时，CPU的过热保护引脚(PROCHOT#)自动跳变为低电平，此时CPU的电源引脚(Vcore)的纹波频率约为220kHZ。该纹波频率此时与所述MOSFET的开关频率十分接近，易形成近似于电流谐振的现象，产生较大的冲击电流，可导致烧坏MOSFET或CPU的后果。

发明内容

鉴于以上内容，有必要提供一种更加安全稳定的CPU供电电路。

一种CPU供电电路，包括一脉宽调制控制芯片及至少一对与所述脉宽调制控制芯片相连的场效应管，所述脉宽调制控制芯片输出信号切换所述场效应管的开关状态从而控制输出至CPU的电压，所述场效应管的开关频率与所述CPU的电源引脚的纹波频率不同。

相较于现有技术，本发明CPU供电电路中场效应管的开关频率与CPU的电源引脚的纹波频率不同，以防产生电流谐振现象，可提高CPU供电电路的安全性及稳定性。

附图说明

图1是一传统的CPU供电电路的示意图。

图2是本发明较佳实施方式CPU供电电路的电路图。

图3是图2中MOSFET管Q1导通、Q2截止时的工作原理图。

图4是图2中MOSFET管Q1截止、Q2导通时的工作原理图。

主要元件符号说明

PWM控制芯片    10

RC电路         20

MOSFET管       Q1、Q2

电感           L1

电容           C1、C2、C3

电阻           R1、R2

具体实施方式

请参阅图2，本发明CPU供电电路(单相或多相供电电路)包括一PWM控制芯片10，一对MOSFET管Q1、Q2，一电感L1及一电容C1。在该CPU供电电路中，该对MOSFET管Q1、Q2均为N沟道金属氧化物半导体场效应管，起到电子开关的作用；所述电感L1和电容C1起到储存电能和滤波的作用。

所述MOSFET管Q1的栅极与所述PWM控制芯片10相连，所述MOSFET管Q1的漏极与一12V电源相连，所述MOSFET管Q1源极与场效应管Q2的漏极相连，所述MOSFET管Q2的栅极与所述PWM控制芯片10相连，所述MOSFET管Q2的源极接地。所述MOSFET管Q1的源极及Q2的漏极共同连接至所述电感L1的一端，所述电感L1的另一端连接至一电压输出端Vout；所述电容C1的一端与该电压输出端Vout相连，另一端接地。

所述PWM控制芯片10包括一电压比较引脚COMP及一输出电压反馈引脚FB。所述输出电压反馈引脚FB可接收电压输出端的反馈信息，因而可实时监控输出电压的大小。所述电压比较引脚COMP将输出电压与一预设的电压值作比较，以实时调节补偿输出电压值。所述PWM控制芯片10的COMP、FB引脚之间连接有一RC(电阻电容)电路20，所述RC电路包括一电阻R1、一电容C2及一电容C3。所述电阻R1与所述电容C2串联并连接于所述PWM控制芯片10的COMP、FB引脚之间。所述电容C3与所述电阻R1及电容C2串接的电路并联。

所述PWM控制芯片10还包括一用于调节开关频率的引脚FS，所述FS引脚与一电阻R2的一端相连，所述电阻R2的另一端接地。所述电阻R2的阻值与所述MOSFET管Q1、Q2的开关频率呈反比，电阻R2的阻值越大，MOSFET管Q1、Q2的开关频率越低；电阻R2的阻值越小，MOSFET管Q1、Q2的开关频率越高。在一实施例中，若将所述电阻R2的阻值设置为120kOhm(千欧姆)，所述MOSFET管Q1、Q2的开关频率为220kHZ。增大或减小电阻R2的阻值可使所述MOSFET管Q1、Q2的开关频率减小或增加。