[发明专利]四级光掩模及其使用方法以及光掩模坯料有效
申请号: | 201010202441.1 | 申请日: | 2007-02-16 |
公开(公告)号: | CN101866107A | 公开(公告)日: | 2010-10-20 |
发明(设计)人: | 佐野道明 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08;G03F1/00;G03F7/00;G02F1/1333 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 杨娟奕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 四级光掩模 及其 使用方法 以及 光掩模 坯料 | ||
1.一种四级光掩模,所述四级光掩模包括遮光部分、光透射部分及分别具有不同的透光率的第一光半透射部分和第二光半透射部分,并在转印目标上形成厚度阶段性地或连续地变化的抗蚀图案,所述四级光掩模的特征在于,
所述第一光半透射部分通过在透明衬底的表面上设置光半透射性的第一光半透射膜而构成,
所述第二光半透射部分通过在所述透明衬底的表面上设置光半透射性的第二光半透射膜而构成,
所述第二光半透射部分和所述第一光半透射部分的曝光光的透光率不同,
所述遮光部分通过在所述透明衬底的表面上层叠所述第一光半透射膜、遮光膜及所述第二光半透射膜而构成。
2.如权利要求1所述的四级光掩模,其特征在于,
在转印目标上形成如下抗蚀图案:与所述遮光部分对应的部分的膜厚最厚,与所述第一光半透射部分对应的部分的膜厚次之,与所述第二光半透射部分对应的部分的膜厚薄,与所述光透射部分对应的部分无膜。
3.如权利要求1或2所述的四级光掩模,其特征在于,
所述第一光半透射部分和所述第二光半透射部分的曝光光的透光率为20~50%。
4.如权利要求1或2所述的四级光掩模,其特征在于,
所述第一光半透射膜和所述遮光膜为对彼此的蚀刻具有抗蚀性的膜。
5.如权利要求4所述的四级光掩模,其特征在于,
所述第二光半透射膜和所述遮光膜由能够通过同种蚀刻气体或蚀刻液体蚀刻的材料构成。
6.如权利要求1或2所述的四级光掩模,其特征在于,
所述第一光半透射膜含有硅化钼,所述第二光半透射膜和所述遮光膜含有铬作为主要成分。
7.一种四级光掩模的使用方法,所述四级光掩模包括遮光部分、光透射部分及分别具有不同的透光率的第一光半透射部分和第二光半透射部分,所述四级光掩模的使用方法的特征在于,
所述第一光半透射部分通过在透明衬底的表面上设置光半透射性的第一光半透射膜而构成,
所述第二光半透射部分通过在所述透明衬底的表面上设置光半透射性的第二光半透射膜而构成,
所述第二光半透射部分和所述第一光半透射部分的曝光光的透光率不同,
所述遮光部分使用在所述透明衬底的表面上层叠所述第一光半透射膜、遮光膜及所述第二光半透射膜而构成的四级光掩模进行曝光,在转印目标上形成抗蚀图案,
在与所述光透射部分对应的部分,在所述转印目标上实施第一蚀刻,
去除所述抗蚀图案中的与所述第二光半透射部分对应的部分,在所述转印目标上实施第二蚀刻,
进而,去除所述抗蚀图案中的与所述第一光半透射部分对应的部分,在所述转印目标上实施第三蚀刻。
8.如权利要求7所述的四级光掩模的使用方法,其特征在于,
对转印目标上的第一膜、第二膜及第三膜实施所述第一蚀刻,
对转印目标上的第二膜及第三膜进行实施第二蚀刻,
对转印目标上的第三膜实施所述第三蚀刻。
9.如权利要求7所述的四级光掩模的使用方法,其特征在于,
通过灰化去除所述抗蚀图案。
10.一种液晶显示装置的制造方法,其特征在于,
包括权利要求7~9中任一项所述的使用方法。
11.一种四级光掩模,所述四级光掩模包括遮光部分、光透射部分及分别具有不同透光率的第一光半透射部分和第二光半透射部分,并在转印目标上形成厚度阶段性地或连续地变化的抗蚀图案,所述四级光掩模的特征在于,
所述第一光半透射部分通过在透明衬底的表面上设置光半透射性的第一光半透射膜而构成,
所述第二光半透射部分通过在所述透明衬底的表面上层叠光半透射性的第一光半透射膜和光半透射性的第二光半透射膜而构成,
所述遮光部分通过在所述透明衬底的表面上层叠所述第一光半透射膜、所述第二光半透射膜及遮光膜而构成。
12.如权利要求11所述的四级光掩模,其特征在于,
在转印目标上形成如下抗蚀图案:与所述遮光部分对应的部分的膜厚最厚,与所述第二光半透射部分对应的部分的膜厚次之,与所述第一光半透射部分对应的部分的膜厚薄,与光透射部分对应的部分无膜。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备