[发明专利]一种在硅片上引入位错的方法

权利要求书

1.一种在硅片上引入位错的方法，其特征在于，包括：

用能量束辐照硅片，所述的能量束足以破坏硅晶格，在受能量束辐照的区域产生位错。

2.根据权利要求1所述的在硅片上引入位错的方法，其特征在于，所述的能量束为单束或多束。

3.根据权利要求1所述的在硅片上引入位错的方法，其特征在于，所述的能量束的功率不小于0.01W/mm²。

4.根据权利要求1所述的在硅片上引入位错的方法，其特征在于，所述的能量束包括电子束、离子束、电磁波束、α射线束、中子束或光子束。

5.根据权利要求1所述的在硅片上引入位错的方法，其特征在于，所述的离子束包括硅离子束、锗离子束、氧离子束、氢离子束、氖离子束、氮离子束、碳离子束、氩离子束、硼离子束、磷离子束、砷离子束或锑离子束。

6.根据权利要求4所述的在硅片上引入位错的方法，其特征在于，所述的能量束为电子束。

7.根据权利要求6所述的在硅片上引入位错的方法，其特征在于，所述的电子束的产生设备采用电子束蒸发设备，电子束蒸发设备的电子束束流为0.1mA～1A，枪高压为0.1kV～10kV，电子束束斑直径为0.1mm～100mm，电子束单位面积功率为0.01W/mm²～1000W/mm²，背底真空度为1Pa～5×10^-4Pa。