[发明专利]一种纳米硅薄膜电致发光显示单元

权利要求书

1.一种纳米硅薄膜电致发光显示单元，从上至下由背电极层、N型层纳米硅薄膜、本征层纳米硅薄膜、P型层纳米硅薄膜和透明电极层组成，其中背电极层为Al电极，接正极，透明电极层为ITO薄膜，接负极。

2.权利要求1所述的纳米硅薄膜电致发光显示单元，其特征在于：N型层纳米硅薄膜的膜厚为70～90nm，本征层纳米硅薄膜的膜厚为490～510nm，P型层纳米硅薄膜的膜厚为30～50nm。

3.权利要求1所述的纳米硅薄膜电致发光显示单元，其特征在于：纳米硅薄膜电致发光显示单元，Al电极的厚度为300nm。

4.权利要求1所述的纳米硅薄膜电致发光显示单元，其特征在于：本征层纳米硅薄膜采用PECVD方法制备，其中所用硅烷的稀释比([SiH₄]/[SiH₄+H₂])是5％。

5.权利要求1所述的纳米硅薄膜电致发光显示单元，其特征在于：P型纳米硅薄膜利用PECVD方法和硼的掺杂制备，硼烷与硅烷的体积流量比在1∶20～1∶5；所用硅烷的稀释比([SiH₄]/[SiH₄+H₂])是5％，硼烷的稀释比([B₂H₆]/[B₂H₆+H₂])是0.5％。

6.权利要求1所述的纳米硅薄膜电致发光显示单元，其特征在于：N型纳米硅薄膜利用PECVD方法和磷的掺杂来制备，磷烷与硅烷的流量比在体积1∶20～4∶25；其中所用硅烷的稀释比([SiH₄]/[SiH₄+H₂])是5％，磷烷的稀释比([PH₃]/[PH₃+H₂])是0.5％。

7.权利要求1所述的纳米硅薄膜电致发光显示单元，其特征在于：P型层纳米硅薄膜与本征层纳米硅薄膜的界面之间和本征层纳米硅薄膜/N型纳米硅薄膜界面之间进行氢钝化处理，具体为：每层薄膜沉积结束后，通氢气15分钟。

8.权利要求4、5或6所述的纳米硅薄膜电致发光显示单元，其特征在于：N型层纳米硅薄膜、本征层纳米硅薄或P型层纳米硅薄膜制备时，采用RF+DC双重功率源作用，沉积压力为140Pa，功率为280～330W，直流电压为200～220V，衬底温度为250～280℃。