[发明专利]一种玻璃衬底绒面结构ZnO薄膜及应用有效
申请号: | 201010202111.2 | 申请日: | 2010-06-18 |
公开(公告)号: | CN101882632A | 公开(公告)日: | 2010-11-10 |
发明(设计)人: | 陈新亮;赵颖;李林娜;倪牮;张晓丹;张建军;耿新华 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/04 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 玻璃 衬底 结构 zno 薄膜 应用 | ||
1.一种玻璃衬底绒面结构ZnO薄膜,其特征在于:利用磁控溅射技术制备,以玻璃为衬底,衬底温度为(200~280)℃,以Zn-Al合金靶和O2为原材料,其中Zn组分纯度为99.99%,掺杂剂Al组分的重量百分比含量为(0.5~3.0)%,背景真空度为8×10-5Pa,溅射气压为(2.5~7.5)mTorr,其中氧气流量为2~30sccm,在玻璃衬底上直接生长绒面结构ZnO薄膜,薄膜厚度(900~1500)nm,薄膜结构为glass/绒面ZnO薄膜。
2.一种如权利要求1所述玻璃衬底绒面结构ZnO薄膜的制备,其特征在于:采用磁控溅射镀膜装置,该装置为密封结构,由溅射室和样片室构成,溅射室和样片室之间设有闸板阀控制其通断;溅射室内装置有加热器、衬底、等离子体检测源、一个离子源和两个磁控溅射源,等离子体检测源与容器外的等离子体发射谱控制器(PEM)连接,一个离子源和两个磁控溅射源分别与容器外的三个电源连接,溅射室设有两个抽真空口;样片室内设有放置样片的层式样片架,样片架通过升降装置进行切换,样片架上的样片通过推拉杆送入溅射室中的衬底上,样片室设有一个抽真空口。
3.一种如权利要求1所述玻璃衬底绒面结构ZnO薄膜德应用,其特征在于:应用于pin型a-Si薄膜太阳电池或a-Si/uc-Si叠层薄膜太阳电池。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的