[发明专利]惯性微机电传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种惯性微机电传感器，包括能够相对移动的主体和质量块，

所述主体包括具有第一表面的第一主体和垂直并连接所述第一表面的第二主体，所述第一主体内具有平行于所述第一表面的第一电极，所述第二主体内具有垂直于所述第一表面的第二电极，

其特征在于，所述质量块悬置在所述第二主体和第一主体形成的空间内，所述质量块包括平行且相对于所述第一表面的第三电极、垂直于所述第一表面的第四电极和质量层，所述第三电极和第四电极相连并构成U型凹槽，所述质量层填充于所述U型凹槽内。

2.根据权利要求1所述的惯性微机电传感器，其特征在于，所述第一主体还包括位于所述第一电极下方的半导体材料层，所述半导体材料层内具有MOS器件。

3.根据权利要求1所述的惯性微机电传感器，其特征在于，所述第一电极的材料为：铝、钛、铜、钴、镍、钽、铂、银和金的其中一种或其任意组合。

4.根据权利要求1所述的惯性微机电传感器，其特征在于，所述第二主体的材料为：氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅和碳氮氧化硅的其中一种或其任意组合。

5.根据权利要求1所述的惯性微机电传感器，其特征在于，所述第二电极的材料为：铝、钛、铜、钨和钽的其中一种或其任意组合。

6.根据权利要求1所述的惯性微机电传感器，其特征在于，所述第三电极和第四电极的材料为：铝、钛、铜、钴、镍、钽、铂、银和金的其中一种或其任意组合。

7.根据权利要求1所述的惯性微机电传感器，其特征在于，所述质量层的材料为：钨、锗硅、锗、铝、氧化物和氮化硅的其中一种或其任意组合。

8.一种权利要求1所述的惯性微机电传感器的制造方法，其特征在于，包括步骤：

提供主体，所述主体包括相互垂直连接的第一主体和第二主体，第一主体具有第一表面，所述第一主体内具有平行于所述第一表面的第一电极，所述第二主体内具有垂直于第一表面的第二电极；

在所述第一主体上形成牺牲层；

在所述牺牲层上形成绝缘层，所述绝缘层和所述牺牲层构成U型凹槽；

淀积形成覆盖所述牺牲层和绝缘层的导电层；

在所述牺牲层上的导电层上形成质量层，所述质量层的顶部和所述绝缘层顶部的导电层齐平；

去除所述绝缘层顶部的导电层和部分质量层，所述质量层的顶部和所述绝缘层顶部的导电层齐平；

去除所述绝缘层；

去除所述牺牲层。

9.根据权利要求8所述的惯性微机电传感器的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为纯度大于50％的碳。

10.根据权利要求8所述的惯性微机电传感器的制造方法，其特征在于，所述形成牺牲层是利用等离子体增强化学气相沉积工艺，且温度为350℃～450℃。

11.根据权利要求8所述的惯性微机电传感器的制造方法，其特征在于，所述去除牺牲层的方法为：利用氧气或者氮气的等离子体进行灰化。

12.根据权利要求8所述的惯性微机电传感器的制造方法，其特征在于，所述淀积形成覆盖所述牺牲层和绝缘层的导电层的方法包括化学气相淀积和物理气相淀积。