[发明专利]一种应用适应性的正电子发射断层成像方法及装置

权利要求书

1.一种应用适应性的正电子发射断层成像方法，其特征是：所述成像方法步骤如下：

Ⅰ、初扫描，获得被检测对象的初步的活度信息；

Ⅱ、根据步骤Ⅰ获取的初扫描结果，规划探测器模块的性能、布局和成像参数，并调整探测器模块，获得新的系统结构，并对新的系统结构进行快速校正；

Ⅲ、在新的系统结构下扫描，获取被检测对象的活度信息；

Ⅳ、分析步骤Ⅲ获得的被检测对象的活度信息，若其质量能满足应用需求，则，结束扫描；否则，重新规划探测器模块的性能、布局和成像参数，并调整探测器模块，并进行快速校正，重复步骤Ⅲ-Ⅳ。

2.根据权利要求1所述的应用适应性的正电子发射断层成像方法，其特征是：所述步骤Ⅰ中的初步扫描方法为：根据被检测对象的结构特点、成像特点和成像性能需求，基于成像系统中探测器模块的性能和几何尺寸，规划探测器模块以环绕方式布局包围被检测对象。

3.根据权利要求2所述的应用适应性的正电子发射断层成像方法，其特征是：所述的环绕方式布局采用具有规则的几何形状的探测环；或者采用非规则的凸集形状；或者根据被检测对象的结构特点，采用类似被检测对象的几何形状的探测环。

4.根据权利要求1所述的应用适应性的正电子发射断层成像方法，其特征是：所述步骤Ⅱ的具体方法如下：

a、根据初扫描获取的被检测对象的活度信息，提取感兴趣区域的位置和大小；

b、根据感兴趣区域的位置和大小，结合被检测对象的特性，及成像性能需求，规划探测器模块的性能、布局和成像参数；

c、根据规划的结果调整探测器模块，获取新的系统结构；

d、对新的系统结构进行快速校正。

5.根据权利要求4所述的应用适应性的正电子发射断层成像方法，其特征是：所述步骤a中的感兴趣区域的位置和大小的提取可以采用人工、半自动或全自动的方法。

6.根据权利要求4所述的应用适应性的正电子发射断层成像方法，其特征是：在所述步骤b中探测器模块的性能包括固有空间分辨率、时间分辨率、能量分辨率、灵敏度和计数率；成像参数包括探测器参数、电子学参数和图像重建参数。

7.根据权利要求4所述的应用适应性的正电子发射断层成像方法，其特征是：在所述步骤b中探测器模块的布局规划根据感兴趣区域的位置和大小、被检测对象的结构特点和成像特点、成像性能需求，基于成像系统中探测器模块的性能和几何尺寸，规划探测器模块以环绕方式布局包围被检测对象。

8.根据权利要求7所述的应用适应性的正电子发射断层成像方法，其特征是：所述的环绕方式布局采用具有规则的几何形状的探测环；或者采用非规则的凸集形状；或者根据被检测对象的结构特点，采用类似被检测对象的几何形状的探测环。

9.根据权利要求7所述的应用适应性的正电子发射断层成像方法，其特征是：所述探测器模块在探测环上的分布为：等间隔地分布。

10.根据权利要求7所述的应用适应性的正电子发射断层成像方法，其特征是：所述探测器模块在探测环上的分布为：探测器模块以部分聚集的方式分布在探测环上，有单个或多个聚集的探测器模块。

11.根据权利要求10所述的应用适应性的正电子发射断层成像方法，其特征是：所述的多个聚集的探测器模块之间以多种对称方式分布在探测环上。

12.根据权利要求11所述的应用适应性的正电子发射断层成像方法，其特征是：对称的聚集的探测器模块具有不同个数的探测器模块。

13.根据权利要求11所述的应用适应性的正电子发射断层成像方法，其特征是：所述的对称方式为关于某一中心对称；或为关于一条穿过某中心的直线为对称轴对称，该对称轴可以为某个聚集的或非聚集的探测器模块与该中心组成的轴，或为某两个中心组成的轴。

14.根据权利要求13所述的应用适应性的正电子发射断层成像方法，其特征是：所述中心为探测环的中心，或感兴趣区域中心，或感兴趣区域中某一局部区域的中心，或检测对象的中心。

15.根据权利要求14所述的应用适应性的正电子发射断层成像方法，其特征是：所述中心是几何中心或者重心。