[发明专利]微电子机械开关电介质注入的测试结构及其制备方法

权利要求书

1.一种微电子机械开关电介质注入的测试结构，其特征在于该测试结构具有进行可比较性测试的两个相同的梁结构，该两个相同的梁结构具有独立的驱动电极；

在电桥结构中，两个梁结构相连组成电桥的两个相邻的电桥臂且共用一个信号输入端，两个可变电阻相连组成电桥的另两个相邻电桥臂且共用一个信号输出端，两个梁结构分别与两个可变电阻相串连形成电桥结构；

在机械结构上，CPW(a)、一分二功率分配器(b)、梁结构(c)设置在同一块衬底(1)上：

CPW(a)由CPW信号线(3)和CPW地线(4)构成；

梁结构(c)包括两个完全一样的梁结构，梁结构是固支梁(11)，或是悬臂梁(12)，固支梁(11)横跨在CPW(a)上，两个锚区(13)分别位于CPW的两个地线(4)上，固支梁(11)下面的CPW信号线(3)被氮化硅介质层(10)覆盖，而悬臂梁(12)则为插入式，即CPW信号线(3)除去一段，梁的锚区(13)位于CPW信号线(3)断开的一端，梁的接触端悬空但与CPW信号线(3)断开的另一端交叠；驱动电极(14)上覆盖氮化硅介质层(10)，固支梁结构的两个驱动电极(14)位于CPW信号线(3)与CPW的地线(4)的空隙上，而悬臂梁结构的驱动电极(14)位于CPW信号线(3)的断开处；驱动电极的引线(15)从CPW地线(4)的断开处引出，而CPW地线(4)的断开处用空气桥(16)连接。

2.一种如权利要求1所述的微电子机械开关电介质注入的测试结构的制备方法，其特征在于制备方法为：

1)准备砷化镓衬底(1)：选用的是外延的半绝缘砷化镓，

2)淀积氮化钽，

3)光刻并刻蚀氮化钽，形成一分二功率分配器(b)的隔离电阻，即氮化钽薄膜电阻(2)，

4)光刻；去除在CPW(a)、一分二功率分配器(b)、梁结构和静电驱动电极(14)以其引线(15)的光刻胶，

5)溅射金，剥离去除光刻胶，形成CPW(a)、一分二功率分配器(b)、梁结构和静电驱动电极(14)以其引线(15)，金的厚度为0.3μm，

6)淀积氮化硅介质层(10)：用等离子体增强化学气相淀积法工艺生长1000的氮化硅介质层(10)，

7)光刻并刻蚀氮化硅介质层(10)：保留静电驱动电极(14)的氮化硅和空气桥(16)下方驱动电极引线(15)的上的氮化硅；对于固支梁结构，则要另外保留固支梁(11)下面CPW信号线(3)的氮化硅，

8)淀积并光刻聚酰亚胺牺牲层：在砷化镓衬底(1)上涂覆1.6μm厚的聚酰亚胺牺牲层，要求填满凹坑，聚酰亚胺牺牲层的厚度决定了梁与氮化硅介质层(10)所在平面的距离，光刻聚酰亚胺牺牲层，仅保留梁下方和空气桥(16)下方的牺牲层。对于悬臂梁(12)，要另外刻蚀牺牲层以便形成触点(17)，

9)溅射钛/金/钛：溅射用于CPW(a)、一分二功率分配器(b)、梁和空气桥(16)的底金钛/金/钛＝500/1600/300

10)光刻钛/金/钛：去除CPW(a)、一分二功率分配器(b)、梁和空气桥(16)以外的光刻胶，

11)电镀金：电镀金的厚度为2μm，

12)去除光刻胶，

13)反刻金层，腐蚀底金层，形成CPW(a)、一分二功率分配器(b)、梁和空气桥(16)，

14)释放牺牲层；用显影液溶解梁结构和空气桥(16)下方的聚酰亚胺牺牲层，并用无水乙醇脱水，形成悬浮的梁结构和空气桥(16)。