[发明专利]电泳显示器及其像素结构有效

专利信息
申请号: 201010200109.1 申请日: 2010-06-09
公开(公告)号: CN101859048A 公开(公告)日: 2010-10-13
发明(设计)人: 黄圣文;朱俊鸿;胡至仁 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/167 分类号: G02F1/167;G09G3/34
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 任默闻
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电泳 显示器 及其 像素 结构
【权利要求书】:

1.一种电泳显示器,其特征在于包括:

一第一基板,包括:

复数条数据线;

复数条扫描线,与所述数据线相交形成复数个像素区域;以及

复数个像素结构,相对应地配置在所述像素区域内,其中每一所述像素结构连接对应的所述扫描线与所述数据线,每一所述像素结构包括:

一第一晶体管,形成于所述像素区域内,并耦接于对应的所述扫描线与所述数据线;

一第二晶体管,形成于所述像素区域内,并耦接所述第一晶体管;以及

一像素电极,形成于所述像素区域内,并耦接所述第二晶体管,所述像素电极包括一主体部分与一第一分支部分,所述第一分支部分位于所述第一晶体管与所述第二晶体管之间;

一第二基板,与所述第一基板相对设置;以及

一电泳显示层,配置在所述第一基板与所述第二基板之间。

2.根据权利要求1所述的电泳显示器,其特征在于,所述像素电极还包括一第二分支部分,所述第二分支部分形成于所述第一晶体管以及与所述第一晶体管相邻的一数据线之间。

3.根据权利要求2所述的电泳显示器,其特征在于,所述第一分支部分与所述第二分支部分间相距10微米至30微米。

4.根据权利要求3所述的电泳显示器,其特征在于,所述第一分支部分与所述第二分支部分间相距20微米至30微米。

5.根据权利要求2所述的电泳显示器,其特征在于,所述像素电极还包括一第三分支部分,所述第三分支部分形成于所述第二晶体管以及与所述第二晶体管相邻的一数据线之间。

6.根据权利要求5所述的电泳显示器,其特征在于,所述第一分支部分与所述第二分支部分间相距10微米至30微米,所述第一分支部分与所述第三分支部分间相距10微米至30微米。

7.根据权利要求6所述的电泳显示器,其特征在于,所述第一分支部分与所述第二分支部分间相距20微米至30微米,所述第一分支部分与所述第三分支部分间相距20微米至30微米。

8.根据权利要求1所述的电泳显示器,其特征在于,所述第一晶体管包括一栅极、一源极与一漏极,所述栅极耦接所述扫描线,所述源极耦接于与所述第一晶体管相邻的所述数据线,所述漏极耦接所述第二晶体管。

9.根据权利要求1所述的电泳显示器,其特征在于,所述第二晶体管包括一栅极、一源极与一漏极,所述栅极耦接所述扫描线,所述源极耦接所述第一晶体管,所述漏极耦接所述像素电极。

10.根据权利要求1所述的电泳显示器,其特征在于,所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极均耦接于对应的所述扫描线。

11.根据权利要求1所述的电泳显示器,其特征在于,所述一电泳显示层包括一微杯结构电泳显示层或一微胶囊结构电泳显示层。

12.一种像素结构,形成于一像素区域内,耦接于一扫描线与一数据线,其特征在于,所述像素结构包括:

一第一晶体管,形成于所述像素区域内,耦接所述扫描线与所述数据线;

一第二晶体管,形成于所述像素区域内,耦接所述第一晶体管;以及

一像素电极,形成于所述像素区域内,并耦接所述第二晶体管,所述像素电极包括一主体部分与一第一分支部分,所述第一分支部分位于所述第一晶体管与所述第二晶体管之间。

13.根据权利要求12所述的像素结构,其特征在于,所述像素电极还包括一第二分支部分,所述第二分支部分形成于所述第一晶体管和相邻于所述第一晶体管的一数据线之间。

14.根据权利要求13所述的像素结构,其特征在于,所述第一分支部分与所述第二分支部分间相距20微米至30微米。

15.根据权利要求13所述的像素结构,其特征在于,所述像素电极还包括一第三分支部分,所述第三分支部分形成于所述第二晶体管和相邻于所述第二晶体管的一数据线之间。

16.根据权利要求15所述的像素结构,其特征在于,所述第一分支部分与所述第二分支部分间相距20微米至30微米,所述第一分支部分与所述第三分支部分间相距20微米至30微米。

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