[发明专利]发光二极管电路及其误差放大器

权利要求书

1.一种误差放大器，包含：

一差动输入级，包含一差动输出端；

一输出级，包含：

一N型金属氧化物半导体晶体管，包含一漏极以及一栅极，其中该漏极连接至一误差放大器输出端以及该栅极连接至该差动输出端；以及

一P型金属氧化物半导体晶体管，包含一栅极以及一漏极，其中该栅极连接至一电流源，该漏极连接至该N型金属氧化物半导体晶体管的漏极；以及

一调整电流源，连接至该P型金属氧化物半导体晶体管的栅极，且该调整电流源接收一控制电压；

其中于一第一操作模式中，该控制电压使该调整电流源导通，于一第二操作模式中，该控制电压使该调整电流源关闭。

2.如权利要求1所述的误差放大器，其中于该第一操作模式中，该控制电压使该调整电流源导通，以提升该输出级的跨导值。

3.如权利要求1所述的误差放大器，其中于该第二操作模式中，该控制电压使该调整电流源关闭，以降低该输出级的跨导值。

4.如权利要求1所述的误差放大器，其中该调整电流源包含至少一P型金属氧化物半导体晶体管电流源。

5.如权利要求1所述的误差放大器，其中该差动输入级还包含一第一输入端以及一第二输入端，该第一输入端用以接收一参考电压，该第二输入端用以接收一变动电压，其中该差动输出端根据该参考电压以及该变动电压产生一差动输出电压。

6.如权利要求1所述的误差放大器，其中该电流源提供一驱动电流，而该调整电流源于该第一操作模式中提供一调整电流。

7.一种发光二极管电路，包含：

一电感，用以连接一供应电压以及一第一端；

一发光二极管群组，连接于该第一端；

一功率金属氧化物半导体晶体管，连接于该第一端；

一误差放大器，包含：

一差动输入级，包含一差动输出端；

一输出级，包含：

一N型金属氧化物半导体晶体管，包含一漏极以及一栅极，其中该漏极连接至一误差放大器输出端以及该栅极连接至该差动输出端；以及

一P型金属氧化物半导体晶体管，包含一栅极以及一漏极，其中该栅极连接至一电流源，该漏极连接至该N型金属氧化物半导体晶体管的漏极；以及

一调整电流源，连接至该P型金属氧化物半导体晶体管的栅极，且该调整电流源接收一控制电压，其中于一第一操作模式中，该控制电压使该调整电流源导通，于一第二操作模式中，该控制电压使该调整电流源关闭；以及

一脉宽调制器，用以根据该误差放大器输出端产生一开关讯号，以控制该功率金属氧化物半导体晶体管，以对该发光二极管群组进行充电或放电。

8.如权利要求7所述的发光二极管电路，其中于该第一操作模式中，该控制电压使该调整电流源导通，以提升该输出级的跨导值。

9.如权利要求7所述的发光二极管电路，其中于该第二操作模式中，该控制电压使该调整电流源关闭，以降低该输出级的跨导值。

10.如权利要求7所述的发光二极管电路，其中该调整电流源包含至少一P型金属氧化物半导体晶体管电流源。

11.如权利要求7所述的发光二极管电路，其中该差动输入级还包含一第一输入端以及一第二输入端，该第一输入端用以接收一参考电压，该第二输入端用以接收一变动电压，其中该差动输出端根据该参考电压以及该变动电压产生一差动输出电压。

12.如权利要求11所述的发光二极管电路，其中该变动电压为来自该发光二极管群组所输出的一回授电压。

13.如权利要求11所述的发光二极管电路，其中当该发光二极管电路开始运作时，该控制电压使该调整电流源操作于该第一操作模式中，以提升该输出级的跨导值，当该发光二极管电路开始运作后，该参考电压以及该变动电压间的一差距小于一临界值时，该控制电压使该调整电流源操作于该第二操作模式中，以降低该输出级的跨导值。

14.如权利要求11所述的发光二极管电路，其中于该发光二极管电路运作中，当该参考电压以及该变动电压间的一差距大于一临界值时，该控制电压使该调整电流源操作于该第一操作模式中，以提升该输出级的跨导值，当该参考电压以及该变动电压间的该差距小于该临界值时，该控制电压使该调整电流源操作于该第二操作模式中，以降低该输出级的跨导值。