[发明专利]半导体器件以及其制备方法有效
| 申请号： | 201010198571.2 | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101908521A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 小仓正巳;高柳教人;山田友子;加藤润;增田次男;合叶司;高野文明 | 申请（专利权）人： | 本田技研工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/34;H01L25/00;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;郑菊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
通过将第一金属板和第二金属板分别键合到绝缘衬底的两个表面而形成的电路板，
要通过第一焊料键合到所述第一金属板的外表面的至少一个半导体元件，以及
要通过第二焊料键合到所述第二金属板的外表面的散热底板，其中
所述第一焊料和所述第二焊料由相同类型的焊接材料构成，并且
所述第一金属板和所述第二金属板的厚度总和与所述绝缘衬底的厚度的比值设置在1.5到5.5的范围以确保所述第一焊料和所述第二焊料中的每一种对温度应力的耐久性。
2.依照权利要求1的半导体器件，其中
所述第一焊料和所述第二焊料为由SnCu基、SnAg基或者SnAgCu基合金所形成的无铅焊料，并且不包含稀有金属。
3.一种制备半导体器件的方法，该半导体器件包括通过将第一金属板和第二金属板分别键合到绝缘衬底的两个表面而形成的电路板、要通过第一焊料键合到所述第一金属板的外表面的至少一个半导体元件，以及要通过第二焊料键合到所述第二金属板的外表面的散热底板，
本方法包括步骤：
以这样的方式制备所述电路板使得所述第一金属板和所述第二金属板的厚度总和与绝缘衬底的厚度的比值设置在预定范围内，在其中能够确保所述第一焊料和所述第二焊料中的每一种对温度应力的耐久性；以及
在相同的加热条件下同时执行用以通过所述第一焊料将所述半导体元件键合到所述电路板的所述第一金属板的外表面的工艺流程，以及用以通过所述第二焊料将所述底板键合到所述第二金属板的外表面的工艺流程，其中
所述第一焊料和所述第二焊料由相同类型的无铅焊接材料所构成。
4.依照权利要求3的半导体器件的制备方法，其中
所述比值的范围从1.5到5.5。
5.依照权利要求3的半导体器件的制备方法，其中
所述第一焊料和所述第二焊料由SnCu基、SnAg基或者SnAgCu基合金所形成，并且不包含稀有金属。
6.依照权利要求3的半导体器件的制备方法，其中
工艺流程在回流炉中以从240℃到320℃的回流温度进行。
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