[发明专利]带浮置埋层的碳化硅高压P型金属氧化物半导体管及方法

权利要求书

1.一种带浮置埋层的碳化硅高压P型金属氧化物半导体管，包括：N型碳化硅衬底(1)，在N型碳化硅衬底(1)上设有N型外延层(2)，在N型外延层(2)内设有源(4)和P型漂移区(3)，在P型漂移区(3)内设有漏(5)和N型保护环(7)，在源(4)上设有源的金属引线(12)，在漏(5)上设有源漏的金属引线(11)，在源(4)与P型漂移区(3)之间的N型外延层(2)的上方设有栅氧化层(6)且与源的金属引线(12)邻接，在N型保护环(7)的表面、漏(5)的漏的金属引线(11)以外的表面、P型漂移区(3)的漏(5)和N型保护环(7)以外的表面以及N型外延层(2)的源的金属引线(12)和栅氧化层(6)以外的表面设有场氧化层(8)，在栅氧化层(6)上设有栅(10)，在漏的金属引线(11)上设有金属场极板(9)，其特征在于，在N型碳化硅衬底(1)与N型外延层(2)之间设有P型浮置埋层(13)，且所述P型浮置埋层(13)位于N型碳化硅衬底(1)与N型外延层(2)交界面上。

2.一种制备权利要求1所述带浮置埋层的碳化硅高压P型金属氧化物半导体管的方法，其特征在于，

1.)首先选择N型碳化硅衬底，然后采用注入硼离子的方法制备P型浮置埋层，P型浮置埋层的杂质浓度为1×10¹⁷到1×10¹⁸cm^-3，

2.)掺入磷离子制备N型外延层，

3.)在室温下进行多次的硼离子注入以形成P型漂移区，掺杂计量为1×10¹²到18×10¹²cm^-2之间，

4.)注入1.5×10¹³cm^-2到3.6×10¹³cm^-2的磷离子形成N型保护环，注入能量为200Kev，

5.)采用PECVD方法积淀S_iO₂场氧化层，

6.)在300℃下，采用硼离子注入形成源漏区，并在1500℃～1700℃的高温下退火，

7.)在1300℃干燥的N₂O中热氧化，然后在1300℃的N₂中退火30min形成栅氧化层，

8.)利用铝制备栅和源、漏极的金属接触，并同步制备漏端的金属场极板。