[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具备第1反相器、第2反相器、第1选择晶体管及第2选择晶体管，其中，

该第1反相器配置在第1行第1列，且具备：

第1岛状半导体层；

第1栅极绝缘膜，在所述第1岛状半导体层的周围上至少接触一部分；

第1栅极电极，其第1面接触于所述第1栅极绝缘膜；

第2栅极绝缘膜，其第1面接触于所述第1栅极电极的第2面；

第1弧状半导体层，以接触于所述第2栅极绝缘膜的第2面的一部分的方式形成；

第1导电型的第1高浓度半导体层，配置在所述第1岛状半导体层的上部；

第1导电型的第2高浓度半导体层，配置在所述第1岛状半导体层的下部；

第2导电型的第1高浓度半导体层，配置在所述第1弧状半导体层的上部；及

第2导电型的第2高浓度半导体层，配置在所述第1弧状半导体层的下部；

该第2反相器配置在第2行第2列，且具备：

第2岛状半导体层；

第3栅极绝缘膜，在所述第2岛状半导体层的周围上至少接触一部分；

第2栅极电极，其第1面接触于所述第3栅极绝缘膜；

第4栅极绝缘膜，其第1面接触于所述第2栅极电极的第2面；

第2弧状半导体层，以接触于所述第4栅极绝缘膜的第2面的一部分的方式形成；

第1导电型的第3高浓度半导体层，配置在所述第2岛状半导体层的上部；

第1导电型的第4高浓度半导体层，配置在所述第2岛状半导体层的下部；

第2导电型的第3高浓度半导体层，配置在所述第2弧状半导体层的上部；及

第2导电型的第4高浓度半导体层，配置在所述第2弧状半导体层的下部；

该第1选择晶体管配置在第1行第2列，且具备：

第3岛状半导体层；

第5栅极绝缘膜，在所述第3岛状半导体层的周围上至少接触一部分；

第3栅极电极，其一部分接触于所述第5栅极绝缘膜；

第2导电型的第5高浓度半导体层，配置在所述第3岛状半导体层的上部；及

第2导电型的第6高浓度半导体层，配置在所述第3岛状半导体层的下部；

该第2选择晶体管配置在第2行第1列，且具备：

第4岛状半导体层；

第6栅极绝缘膜，在所述第4岛状半导体层的周围上至少接触一部分；

第4栅极电极，其一部分接触于所述第6栅极绝缘膜；

第2导电型的第7高浓度半导体层，配置在所述第4岛状半导体层的上部；及

第2导电型的第8高浓度半导体层，配置在所述第4岛状半导体层的下部。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第1栅极绝缘膜包围所述第1岛状半导体层的周围；

所述第1栅极电极包围所述第1栅极绝缘膜的周围；

所述第3栅极绝缘膜包围所述第2岛状半导体层的周围；

所述第2栅极电极包围所述第3栅极绝缘膜的周围；

所述第5栅极绝缘膜包围所述第3岛状半导体层的周围；

所述第3栅极电极包围所述第5栅极绝缘膜的周围；

所述第6栅极绝缘膜包围所述第4岛状半导体层的周围；

所述第4栅极电极包围所述第6栅极绝缘膜的周围。