[发明专利]一种钠循环法生产太阳能级多晶硅的工艺方法无效

专利信息
申请号: 201010198097.3 申请日: 2010-06-04
公开(公告)号: CN102267697A 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: 刘新林 申请(专利权)人: 刘新林
主分类号: C01B33/033 分类号: C01B33/033;C01D3/02;C01B33/10;C30B29/06
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地址: 221000 江苏省徐州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 循环 生产 太阳 能级 多晶 工艺 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种生产多晶硅的工艺方法,尤其是一种钠循环法生产太阳能级多晶硅的工艺方法。

背景技术

由于太阳能具有无与伦比的环保、低碳、取之不尽等优势及太阳能光伏产业的迅猛发展和新增需求,当前国际上已经形成了开发低成本、低耗太阳能和多晶硅的热潮,涌现出许多专门生产太阳能级多晶硅的新技术,目前常采用的多晶硅还原法有西门子法、硅烷法、硫化床法等,但是,现有的多晶硅还原法成本高,耗能量大,污染严重,增大了生产成本及环境污染。

发明内容

为了解决现有多晶硅还原法存在的问题,本发明提出了一种钠循环法生产太阳能级多晶硅的工艺方法,该种工艺方法采用化学物理转化法,生产工艺简单,无有毒气体排放,并能够将产生的副产品有效利用,大大节省了生产成本及能耗,有效促进了太阳能光伏产业的发展。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:该一种钠循环法生产太阳能级多晶硅的工艺方法是:将氟硅酸钠Na2SiF6放入反应器,以300℃-800℃的温度加热分解1-5小时,生成四氟化硅SiF4气体和副产品氟化钠NaF,氟化钠NaF冷却成为固体后可以卖出;将高纯度金属钠Na在反应器中,加高温800℃-1000℃汽化成钠Na蒸汽;同时使四氟化硅SiF4气体和高纯度钠Na蒸汽按1∶4反应式量比沿管道进入反应炉,生成高纯度硅粉;高纯度硅粉进入第一收集器,控制温度在1000℃-1600℃之间,将粉末状高纯度硅Si高温熔融成块,制成多晶硅成品;其它混合气体进入第二收集器,通过控制温度在800℃-100℃,使氟化钠NaF和未反应的钠Na沉积,再将氟化钠NaF和钠Na加热分离,钠Na循环使用,氟化钠NaF作为副产品卖出;其它混合气体进入第三收集器,降温到10℃-0℃冷却,收集剩余的四氟化硅SiF4气体,加水溶解成氟硅酸H2SiF6溶液卖出;剩余的物质喷淋处理。

本发明的有益效果是:该一种钠循环法生产太阳能级多晶硅的工艺方法生产工艺简单,无有毒气体排放,原料来源广泛廉价,符合国家循环经济的概念,并能够将产生的副产品有效利用,大大节省了生产成本,有效促进了太阳能光伏产业的发展。

附图说明

下面结合附图及实施例对本发明作进一步说明。

附图1为该一种钠循环法生产太阳能级多晶硅的工艺方法的工艺流程图。

具休实施方式

在附图1中,该一种钠循环法生产太阳能级多晶硅的工艺方法是:将氟硅酸钠Na2SiF6放入反应器,以300℃-800℃的温度加热分解1-5小时,生成四氟化硅SiF4气体和副产品氟化钠NaF,氟化钠NaF冷却成为固体后可以卖出;将高纯度金属钠Na在反应器中,加高温800℃-1000℃汽化成钠Na蒸汽;同时使四氟化硅SiF4气体和高纯度钠Na蒸汽按1∶4反应式量比沿管道进入反应炉,生成高纯度硅粉;高纯度硅粉进入第一收集器,控制温度在1000℃-1600℃之间,将粉末状高纯度硅Si高温熔融成块,制成多晶硅成品;其它混合气体进入第二收集器,通过控制温度在800℃-100℃,使氟化钠NaF和未反应的钠Na沉积,再将氟化钠NaF和钠Na加热分离,钠Na循环使用,氟化钠NaF作为副产品卖出;其它混合气体进入第三收集器,降温到10℃-0℃冷却,收集剩余的四氟化硅SiF4气体,加水溶解成氟硅酸H2SiF6溶液卖出;剩余的物质喷淋处理。

生成的硅粉的杂质浓度<0.02ppm(7N)。

原料氟硅酸钠Na2SiF6,是磷肥制作过程中的副产品,来源廉价和广泛;反过程中产生的副产品氟化钠NaF是优质的化工原料,用于制铝工业和牙膏生产,氟硅酸H2SiF6溶液可用于金属电镀、木材防腐,具有消毒性能,可作啤酒酿造中的消毒剂。

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