[发明专利]一种中、低频等离子体加工设备和电极板有效
申请号: | 201010197959.0 | 申请日: | 2010-06-03 |
公开(公告)号: | CN102271454A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 朱桂林 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46;C23C4/12;C23C4/10 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100026 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低频 等离子体 加工 设备 极板 | ||
1.一种中、低频等离子体加工设备,包括反应腔室、在反应腔室内部相对设置的上电极板和下电极板,其特征在于,所述上电极板为不锈钢板,所述上电极板与所述反应腔室内等离子体接触的表面设有涂层。
2.根据权利要求1所述的等离子体加工设备,其特征在于,所述涂层为氧化铝陶瓷涂层。
3.根据权利要求1所述的等离子体加工设备,其特征在于,所述涂层是通过熔射的方式形成于所述上电极板与反应腔室内等离子体接触的表面。
4.根据权利要求2所述等离子体加工设备,其特征在于,所述涂层的厚度为1微米-100微米。
5.根据权利要求4所述等离子体加工设备,其特征在于,所述涂层的厚度为40微米。
6.根据权利要求1所述的等离子体加工设备,其特征在于,所述上电极板上设有通孔。
7.根据权利要求1至6任一项所述的等离子体加工设备,其特征在于,所述等离子体加工设备为等离子体薄膜沉积设备或等离子体刻蚀设备。
8.一种电极板,其特征在于,所述电极板为不锈钢材料且电极板表面设有涂层。
9.根据权利要求8所述的电极板,其特征在于,所述涂层为氧化铝陶瓷涂层。
10.根据权利要求8所述的电极板,其特征在于,所述涂层是通过熔射的方式形成于所述电极板表面。
11.根据权利要求9所述的电极板,其特征在于,所述陶瓷涂层的厚度为1微米-100微米。
12.根据权利要求10所述的电极板,其特征在于,所述陶瓷涂层的厚度为40微米。
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