[发明专利]太阳电池及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳电池及其制造方法。

背景技术

太阳电池将光能转换为电能，根据所使用的半导体而提出各种类型的构成。近年来，制造工序简单而能够期待高的转换效率的CIGS型太阳电池备受瞩目。CIGS型太阳电池例如包括：形成于基板之上的第1电极膜、包括形成于第1电极膜之上的化合物半导体(铜-铟-镓-硒化合物)层的薄膜、和形成于该薄膜之上的第2电极膜。而且，在去除了薄膜的一部分的槽内形成第2电极膜，电连接第1电极膜与第2电极膜。(例如，参照专利文献1)。

【专利文献1】特开2002-319686号公报

可是，上述薄膜(化合物半导体层)槽通过采用激光照射和/或金属探针等去除薄膜的一部分所形成。此时，若薄膜的残渣附着于上述槽内，则因为薄膜残渣自身电阻高，所以在槽内形成第2电极膜、连接第1电极膜与第2电极膜时，存在第1电极膜与相连接的第2电极膜之间的电阻升高的问题。

发明内容

本发明用于解决上述问题的至少一部分所作出，可以作为以下的方式或应用例而实现。

(应用例1)本应用例中的太阳电池特征为：具有基板、形成于前述基板之上的第1电极层、形成于前述第1电极层之上的半导体层、和形成于前述半导体层之上的第2电极层；在前述半导体层的一部分，设置从前述第1电极层到达前述第2电极层的槽部，在前述槽部，形成具有导电性的接触层。

依照于该构成，则第1电极层与第2电极层通过形成于半导体层的槽部的接触层而电连接。从而，能够容易地确保第1电极层与第2电极层的电连接性。

(应用例2)上述应用例中的太阳电池特征为：前述接触层以电阻率比前述第1电极层及前述第2电极层低的材料所形成。

依照于该构成，则接触层因为电阻率比第1电极层及第2电极层低，所以能够降低第1电极层与第2电极层之间的电阻。

(应用例3)上述应用例中的太阳电池特征为：前述接触层由以铜为主成分的材料所形成。

依照于该构成，则因为接触层以电阻率小的材料所形成。所以能够使第1电极层与第2电极层之间低电阻化。

(应用例4)上述应用例中的太阳电池特征为：前述半导体层具有包含铜、铟、镓、硒的化合物半导体层，前述接触层通过加热处理所形成。

依照于该构成，则半导体层具有包含铜、铟、镓、硒的化合物半导体(CIGS)层，接触层是以铜为主成分的材料。在此，例如，若采用激光照射和/或金属探针等，去除化合物半导体层的一部分而形成槽部，则可认为化合物半导体层的残渣会附着于槽部内。在此，通过在槽部内采用以铜为主成分的材料通过加热处理而形成接触层，在加热处理中，能够使残渣物扩散到铜的接触层。由此，能够降低第1电极层与第2电极层之间的电阻。尤其能够降低第1电极层与接触层的界面电阻。

(应用例5)上述应用例中的太阳电池特征为：前述接触层以下述方式形成于前述槽部，该方式为：成为与前述半导体层的前述第2电极层方向的面相同的高度。

依照于该构成，则接触层与半导体层的面变成一个均匀的面。即，在半导体层与接触层的面，变成不存在台阶等的状态。从而，接触层与第2电极层因为以一平坦面所连接，所以能够使连接性提高。

(应用例6)本应用例中的太阳电池的制造方法特征为：包括在基板之上形成第1电极层的第1电极层形成工序、在前述第1电极层之上形成半导体层的半导体层形成工序、在厚度方向上去除前述半导体层的一部分而形成到达前述第1电极层的槽部的槽部形成工序、在前述槽部形成具有导电性的接触层的接触层形成工序、和在前述半导体层及前述接触层之上形成第2电极层的第2电极层形成工序。

依照于该构成，则第1电极层与第2电极层通过形成于半导体层的槽部内的接触层而电连接。从而，能够容易地确保第1电极层与第2电极层的电连接性。

附图说明

图1是表示太阳电池的构成的剖面图。

图2是表示太阳电池的制造方法的工序图。

图3是表示太阳电池的制造方法的工序图。

图4是表示变形例中的太阳电池的构成的剖面图。

符号的说明

1...太阳电池，10...基板，11...基底层，12...第1电极层，13...半导体层，13a...第1半导体层，13b...第2半导体层，14...第2电极层，17...接触层，31...第1分割槽，32...作为槽部的第2分割槽，33...第3分割槽，40...单体电池。

具体实施方式