[发明专利]一种微磁场控制的微流控芯片及其制作方法无效

专利信息
申请号: 201010196067.9 申请日: 2010-06-04
公开(公告)号: CN101879467A 公开(公告)日: 2010-11-10
发明(设计)人: 张志凌;余旭;庞代文 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00;B01J19/00;G01N35/00
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 张火春
地址: 430072*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 磁场 控制 微流控 芯片 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种微磁场控制的微流控装置,由微流控流体层芯片、具有软磁性材料微图案的基板和磁源体所构成,其特征在于:

1)所述的微流控流体层芯片由聚合物材料制作而成;

2)所述的具有软磁性材料微图案的基板为透明导电基板,其微图案对应所需的磁珠排列设计且其上覆盖有一层聚合物材料;

3)所述的微流控流体层芯片通过聚合物材料以永久不可逆键合方式键合在具有软磁性微图案的基板上方;

4)所述的磁源体安装在具有软磁性材料微图案的基板与微流控流体层芯片形成的键合体上。

2.根据权利要求1所述的一种微磁场控制的微流控装置,其特征在于:

1)所述的聚合物材料包括聚二甲基硅氧烷、聚甲基丙稀酸甲脂、聚碳脂、聚苯乙烯;

2)所述的透明导电基板包括ITO导电玻璃、FTO导电玻璃和镀金玻璃;

3)所述的软磁性材料包括镍和不同比例的镍铁合金。

3.根据权利要求1或2所述的一种微磁场控制的微流控装置,其特征在于:所述的磁源体为一对永磁铁构成的“NS”磁极对,且置于具有软磁性材料微图案的基板的下方位于流体层芯片通道的两侧。

4.根据权利要求1或2所述的一种微磁场控制的微流控装置,其特征在于:所述的磁源体为一个永磁铁,且置于具有镍微图案基板下方位于流体芯片通道的一侧。

5.一种制备微磁场控制的微流控装置的方法,其特征在于由下述步骤所构成:

1)采用原位生成法,将液态聚合物材料置入用软刻蚀方法制得的微流控流体层芯片的阳模模板上,待反应固化后脱模成型,制得微流控流体层芯片;

2)在透明导电基板上用软光刻与电镀相结合的方法,制得对应所需的磁珠排列设计的具有软磁性材料的微图案;

3)用聚合物材料封装导电基板上的软磁性材料微图案;

4)用氧等离子体处理的方法,通过聚合物材料使微流控流体层芯片和具有软磁性材料微图案的导电基板实现永久不可逆键合;

5)在由微流控流体层芯片和具有软磁性材料微图案的导电基板形成的键合体上安装一磁源体。

6.根据权利要求3所述的一种制备微磁场控制的微流控装置的方法,其特征在于:

1)所述的制备微流控流体层芯片的阳模包括金属基阳模、单晶硅阳模、和玻璃阳模;

2)所述的在导电基板上制备软磁性材料微图案所使用的软光刻与电镀相结合的方法,包括电镀、真空蒸镀,磁控溅射,电子束物理气相沉积。

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