[发明专利]谐振式电力转换电路

权利要求书

1.一种谐振式电力转换电路，其特征在于，该谐振式电力转换电路包括：

一谐振式转换单元；

一控制单元，耦接于该谐振式转换单元，用以输出至少一第一切换信号至该谐振式转换单元以调整该谐振式转换单元的一输出电压，其中该控制单元具有一最低切换频率以限制该第一切换信号的频率；

一电流检测单元，耦接于该谐振式转换单元的输出以检测该谐振式转换单元的一输出电流；

一电压检测单元，耦接于该谐振式转换单元的输出以检测该谐振式转换单元的该输出电压；以及

一频率调制单元，耦接于该电流检测电路与该电压检测电路与该控制单元，该频率调制单元根据该输出电流与该输出电压调整该控制单元的该最低切换频率。

2.如权利要求1所述的谐振式电力转换电路，其特征在于：当该输出电流大于一电流预设值时，该频率调制单元提高该控制单元的该最低切换频率；当该输出电压大于一电压预设值时，该频率调制单元降低该控制单元的该最低切换频率。

3.如权利要求1所述的谐振式电力转换电路，其特征在于，该频率调制单元包括：

一第一电阻，耦接于该控制单元的一频率设定引脚与一接地端之间；

一第一调制单元，耦接于该电流检测单元与该控制单元的该频率设定引脚；以及

一第二调制单元，耦接于该电压检测单元与该控制单元的该频率设定引脚。

4.如权利要求3所述的谐振式电力转换电路，其特征在于，该第一调制单元包括：

一PNP晶体管，该PNP晶体管的射极耦接于一电压源；

一第二电阻，耦接于该PNP晶体管的射极与该PNP晶体管的基极之间；

一第三电阻，该第三电阻的一端耦接于该PNP晶体管的基极；

一第一NMOS晶体管，该第一NMOS晶体管的漏极耦接于该第三电阻的另一端，该第一NMOS晶体管的源极耦接于该接地端，该第一NMOS晶体管的栅极耦接于该电流检测单元；

一第一电容，耦接于该第一NMOS晶体管的栅极与该接地端之间；

一第四电阻，耦接于该第一NMOS的栅极与该接地端之间；

一第五电阻，该第五电阻的一端耦接于该控制单元的该频率设定引脚；

一第二NMOS晶体管，该第二NMOS晶体管的漏极耦接于该第五电阻的另一端，该第二NMOS晶体管的源极耦接于该接地端，该第二NMOS晶体管的栅极耦接于该第一PNP晶体管的集极；

一第二电容，耦接于该第二NMOS晶体管的栅极与该接地端之间；以及

一第六电阻，耦接于该第二NMOS晶体管的栅极与该接地端之间。

5.如权利要求3所述的谐振式电力转换电路，其特征在于，该第二调制单元包括：

一NPN晶体管，该NPN晶体管的集极耦接于一电压源，该NPN晶体管的基极耦接于该电压检测单元；

一第二电阻，耦接于该NPN晶体管的集极与该NPN晶体管的基极之间；

一第三电阻，该第三电阻的一端耦接于该控制单元的该频率设定引脚；

一第一NMOS晶体管，该第一NMOS晶体管的漏极耦接于该第三电阻的另一端，该第一NMOS晶体管的源极耦接于该接地端，该第一NMOS晶体管的栅极耦接于该NPN晶体管的射极；

一第一电容，耦接于该第一NMOS晶体管的栅极与该接地端之间；以及

一第四电阻，耦接于该第一NMOS晶体管的栅极与该接地端之间。

6.如权利要求1所述的谐振式电力转换电路，其特征在于，该频率调制单元包括：

一第一电阻，该第一电阻的一第一端耦接于该控制单元的一频率设定引脚；

一接地电容，耦接于该第一电阻的一第二端与一接地端之间；

一第一调制单元，耦接于该电流检测单元与该控制单元的该频率设定引脚；以及

一第二调制单元，耦接于该电压检测单元与该控制单元的该频率设定引脚。