[发明专利]固态影像拾取元件、其制造方法以及使用其的电子设备

权利要求书

1.一种固态影像拾取元件，包括：

半导体衬底；

像素部分，形成在半导体衬底上以及布置每个具有光电转换部分的多个像素的；

绝缘层，形成在所述半导体衬底上，以覆盖所述光电转换部分；

孔部分，形成在所述绝缘层中及所述光电转换部分上方；

氮化硅层，形成以覆盖所述孔部分的底表面和侧表面；以及

埋设层，形成在所述氮化硅层上，

其中，所述氮化硅层被形成以包含通过利用原子层沉积方法所形成的氮化硅。

2.根据权利要求1所述的固态影像拾取元件，其中，所述埋设层是高折射率树脂层。

3.一种固态影像拾取元件的制造方法，包括以下步骤：

在半导体衬底的像素部分中形成光电转换部分；

在所述半导体衬底上形成绝缘层，以覆盖所述光电转换部分；

在所述绝缘层中及所述光电转换部分上方形成孔部分；以及

在所述孔部分中形成氮化硅层，

其中，利用原子层沉积方法形成所述氮化硅层。

4.根据权利要求3所述的固态影像拾取元件的制造方法，其中，通过将利用原子层沉积方法形成氮化硅层的处理与利用等离子体沉积方法形成氮化硅层的处理彼此结合，形成所述氮化硅层。

5.根据权利要求3所述的固态影像拾取元件的制造方法，还包括以下步骤：

在形成所述氮化硅层之后，在所述氮化硅层上形成由高折射率树脂形成的埋设层。

6.根据权利要求3所述的固态影像拾取元件的制造方法，还包括以下步骤：

利用低压化学气相沉积方法，在所述光电转换部分上形成氮化硅层；

其中，在形成孔部分的步骤中，利用低压化学气相沉积方法，将所述孔部分形成到所述氮化硅层。

7.一种电子设备，包括：

固态影像拾取元件，包括：半导体衬底；像素部分，形成在半导体衬底上以及布置每个具有光电转换部分的多个像素；绝缘层，形成在所述半导体衬底上，以覆盖所述光电转换部分；孔部分，形成在所述绝缘层中及所述光电转换部分上方；氮化硅层，形成以覆盖所述孔部分的底表面和侧表面；以及埋设层，形成在所述氮化硅层上，其中，所述氮化硅层被形成以包含通过利用原子层沉积方法所形成的氮化硅；

光学系统，用于将入射光导引到所述固态影像拾取元件的影像拾取部分；以及

信号处理电路，处理来自所述固态影像拾取元件的输出信号。