[发明专利]一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制作方法无效
| 申请号: | 201010191946.2 | 申请日: | 2010-06-04 |
| 公开(公告)号: | CN101872808A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
| 发明(设计)人: | 丁孔奇 | 申请(专利权)人: | 珈伟太阳能(武汉)有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 杨立 |
| 地址: | 430205 湖北省武汉市东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 选择性 发射极 制作方法 | ||
1.一种晶硅太阳能电池选择性发射极的制作方法,包括在晶硅太阳能电池受光面上印刷含有磷元素的电极浆料后进行烧结来形成栅线电极。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电极浆料是由金属银浆和磷浆混合而成。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述电极浆料中金属银浆和磷浆质量比在1∶1至8∶1之间。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,利用丝网印刷方法将所述电极浆料印刷到晶硅太阳能电池受光面上。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述电极栅线宽度在50um-150um之间,电极栅线高度在10um-50um之间。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述电极栅线产生的遮挡面积小于7%。
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