[发明专利]一种基于金硅共晶的低温键合方法

权利要求书

1.一种基于金硅共晶的低温键合的方法，其特征在于包括上基板的制备、下基板的制备、上基板与下基板对准键合，具体步骤是：

(1)上基板制备：在抛光的单晶硅片上，先热生长或化学气相沉积一层氧化硅，再在氧化硅层上的待键合处依次蒸发或溅射Ti膜和Au膜；

(2)下基板制备：在抛光的单晶硅片上，先热生长或化学气相沉积一层氧化硅，再在氧化硅层上的待键合处化学气相沉积一层非晶硅或多晶硅层，然后在非晶硅或多晶硅层上依次蒸发或溅射Ti膜和Au膜；

(3)将步骤1和2的上基板与下基板的键合面对准并贴合，再送入键合机，升温至340-450℃，并施加0.2-0.4MPa的压力，然后撤除压力，冷却到室温，实现低温键合。

2.按权利要求1所述的方法，其特征在于在步骤1上基板制备中热生长或化学气相沉积一层氧化硅后，在氧化硅层上的待键合处气相沉积一层非晶硅或多晶硅层，然后再依次蒸发或溅射Ti层和Au层。

3.按权利要求1或2所述的方法，其特征在于上基板制备中Ti膜的厚度为30-60nm，Au层厚度为200-400nm。

4.按权利要求1所述的方法，其特征在于下基板制备中非晶硅或多晶硅层的厚度为0.5-2μm。

5.按权利要求2所述的方法，其特征在于上基板制备中非晶硅或多晶硅层的厚度为0.5-2μm。

6.按权利要求1所述的方法，其特征在于下基板制备中的Ti膜和Au膜的厚度依次为20-60nm和200-400nm。

7.按权利要求1所述的方法，其特征在于步骤3低温键合加压的时间为20-40分钟。

8.按权利要求1或2所述的方法，其特征在于上基板和下基板用包括玻璃或GaN在内的非硅材料。