[发明专利]一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅材料的方法有效
| 申请号： | 201010189312.3 | 申请日： | 2010-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101866874A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张苗;薛忠营;张波;魏星 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 转移 技术 制备 绝缘体 上锗硅 材料 方法 | ||
1.一种制备SGOI的方法，其特征在于采用下述两种方法中的任一种：
方法A
①首先在体硅衬底上使用化学气相沉积的方法依次外延Si1-xGex、Siepi两种不同的薄膜，其中0＜x＜1；依据外延材料中x值的不同，选择外延的Si1-xGex薄膜的厚度，使其小于临界厚度，同时Siepi的厚度小于Si1-xGex层的厚度，外延完成后得到Siepi/Si1-xGex/Sisub结构的多层材料，其中，Siepi为外延材料的上表面，Sisub为衬底硅材料；
②将步骤1制备的多层材料同另一片表面已经制备出SiO2的Si衬底材料键合，得到Sisub/Si1-xGex/Siepi/SiO2/Si结构的多层材料；
③通过研磨加选择性腐蚀的方法，去掉Sisub，得到Si1-xGex/Siepi/SiO2/Si结构的材料；
④在700～1100℃温度下进行退火，在增加键合强度的同时使得Si1-xGex材料发生弛豫；
⑤最后继续采用化学气相沉积的方法，在Si1-xGex外面外延一层Si层，该层将具有张应力，形成SGOI材料；
方法B
①首先在体硅衬底上使用化学气相沉积的方法依次外延Si1-xGex、Siepi两种不同的薄膜，其中0＜x＜1；依据外延材料中x值的不同，选择外延的Si1-xGex薄膜的厚度，使其小于临界厚度，同时Siepi的厚度小于Si1-xGex层的厚度，外延完成后得到Siepi/Si1-xGex/Sisub结构的多层材料，其中，Siepi为外延材料的上表面，Sisub为衬底硅材料；
②将一定剂量的H+或者He+离子注入到Sisub中接近Si1-xGex处；
③然后同另一片表面已经制备出SiO2的Si衬底材料键合，形成Sisub/Si1-xGex/Siepi/SiO2/Si结构的多层材料；
④将步骤3所制得的材料在400～600℃温度下退火，使得材料在H+或者He+离子注入射程附近发生层分离，得到Sisub/Si1-xGex/Siepi/SiO2/Si结构的材料；
⑤选择合适的化学溶液，采用选择性腐蚀的方法，腐蚀掉剩余的Sisub，使腐蚀停止在Si1-xGex材料上，即得到Si1-xGex/Siepi/SiO2/Si材料；
⑥接着在700～1100℃温度下进行退火，增加键合强度的同时使得Si1-xGex材料发生弛豫，；
⑦最后继续采用化学气相沉积的方法，在Si1-xGex外面外延一层Si层，该层将具有张应力，形成SGOI材料；
方法B中所述的H+或He+离子注入的一定剂量为5×1016cm-2～1×1017cm-2；
方法A和方法B中所述选择性腐蚀使用的是包括TMAH或KOH在内的化学溶液。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010189312.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
