[发明专利]可控氧化硅去除速率的化学机械抛光液

权利要求书

1.一种用于氧化硅介电材料的化学机械抛光液，此化学机械抛光液以抛光液总重量为基准，包含下列重量百分比的原料组分：

氧化硅抛光颗粒            0.2-30wt％

表面活性剂                0.01-4wt％

有机添加剂                0.01-5wt％

pH调节剂和水性介质        余量；

所述化学机械抛光液的pH值范围为9-12。

2.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述氧化硅抛光颗粒的重量百分比为5-20wt％。

3.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述表面活性剂的重量百分比为0.05-2wt％。

4.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述有机添加剂的重量百分比为0.05-3wt％。

5.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述化学机械抛光液的pH值范围为10-11。

6.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述氧化硅抛光颗粒为烧结氧化硅或者胶体氧化硅，其粒径范围为10-1500nm。

7.如权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述有机添加剂选自二乙基氨、三乙基氨、葡萄糖、脯氨酸、皮考磷酸、乙酸、蚁酸、葡萄糖酸、赖氨酸、半胱氨酸、丙胺酸、二氨基丁酸、对苯二酸、水杨酸、氨基乙酸和丁二酸。

8.如权利要求7所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述的表面活性剂选自脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)、聚丙烯酸钠、脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯和十六烷基三甲基溴化铵；所述水性介质为去离子水；所述pH调节剂选自硝酸、磷酸、氢氧化钾、羟乙基乙二氨、四甲基氢氧化氨和氨水。

9.如权利要求1-8任一权利要求所述化学机械抛光液，其特征在于，所述化学机械抛光液中不含氧化剂。

10.如权利要求1-9任一权利要求所述化学机械抛光液用于半导体中氧化硅介电材料的CMP工艺的用途。