[发明专利]主动元件阵列基板及其修补方法有效
| 申请号: | 201010188957.5 | 申请日: | 2010-05-24 |
| 公开(公告)号: | CN101866917A | 公开(公告)日: | 2010-10-20 |
| 发明(设计)人: | 庄文奇;彭中宏;林东村;郭雅翎 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/60;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;李岩 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 主动 元件 阵列 及其 修补 方法 | ||
1.一种主动元件阵列基板,包括:
一基板,具有一显示区以及一外围区;
多个像素,阵列排列于该基板的该显示区上;
多条信号线,与该些像素电性连接,且各该信号线分别从该显示区延伸至该外围区;以及
一修补结构,配置于该外围区,该修补结构包括:
一第一修补线,与该些信号线的其中一端交错,且该第一修补线为电性浮置;
一第二修补线;
一静电释放导线;以及
一静电保护元件,连接于该第二修补线与该静电释放导线之间,该静电保护元件与该第一修补线重叠且彼此电性绝缘。
2.如权利要求1所述的主动元件阵列基板,其特征在于,该些信号线包括多条扫描线与多条数据线,且该些扫描线与该些数据线交错。
3.如权利要求1所述的主动元件阵列基板,其特征在于,该静电释放导线电性连接于一共同电压端。
4.如权利要求1所述的主动元件阵列基板,其特征在于,该静电释放导线接地。
5.如权利要求1所述的主动元件阵列基板,其特征在于,该静电保护元件包括至少一二极管,而该二极管包括:
一第一电极;
一第二电极;
一控制电极,与该第二电极电性连接;以及
一半导体层,位于该控制电极上方,并连接于该第一电极与该第二电极之间。
6.如权利要求5所述的主动元件阵列基板,其特征在于,该第一电极与该静电释放导线电性连接,该第二电极与该第二修补线电性连接,其中该第二电极与该第一修补线重叠且彼此电性绝缘。
7.如权利要求1所述的主动元件阵列基板,其特征在于,该静电保护元件包括多个彼此串接的二极管,各该二极管包括一第一电极、一第二电极、一与该第二电极电性连接的控制电极以及一半导体层,该半导体层位于该控制电极上方,并连接于该第一电极与该第二电极之间。
8.如权利要求7所述的主动元件阵列基板,其特征在于,未与该第二电极电性连接的其中一个第一电极与该静电释放导线电性连接,而未与该第一电极电性连接的其中一个第二电极与该第二修补线电性连接,且该第一修补线与其中一个第二电极重叠。
9.如权利要求1所述的主动元件阵列基板,其特征在于,该第二修补线连接至一控制元件。
10.如权利要求1所述的主动元件阵列基板,其特征在于,进一步包含另一静电防护元件,连接各该信号线,且邻近于该第一修补线与各该信号线交错处。
11.一种修补方法,适于修补权利要求1所述的主动元件阵列基板,当其中一条信号线发生开路瑕疵(open defect)时,该修补方法包括:
将该第一修补线与具有该开路瑕疵的信号线的其中一端焊接;以及
在该静电保护元件与该第一修补线重叠处,将该静电保护元件与该第一修补线焊接,其中该第二修补线通过该静电保护元件以及该第一修补线与具有该开路瑕疵的信号线电性连接。
12.如权利要求11所述的修补方法,其特征在于,该静电保护元件包含至少一二极管,该二极管包含一控制电极、一第一电极、一第二电极及一半导体层,该半导体层设置于该控制电极上方并连接于该第一电极与该第二电极之间,其中该静电保护元件与该第一修补线重叠处是该第二电极与该第一修补线重叠处。
13.一种修补方法,适于修补权利要求8所述的主动元件阵列基板,当其中一条信号线发生开路瑕疵(open defect)时,该修补方法包括:
将该第一修补线与具有该开路瑕疵的信号线的其中一端焊接;
在该第二电极与该第一修补线重叠处,将该第二电极与该第一修补线焊接;以及
将部分控制电极与部分第二电极焊接,以使该第二修补线通过部分控制电极、部分第二电极以及该第一修补线与具有该开路瑕疵的信号线电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





