[发明专利]高演色性发光二极管的结构无效
| 申请号： | 201010188850.0 | 申请日： | 2010-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101866911A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 卓俊贤;张汉锜 | 申请（专利权）人： | 绿明科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;F21S2/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 长春市吉利专利事务所 22206 | 代理人： | 张绍严 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高演色性 发光二极管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种高演色性发光二极管的结构，其特征在于，包括：
一基板；
至少一发光件，该发光件设于该基板，且该发光件放射蓝色光源，并同时激发该发光件外涂覆的荧光粉以产生白光；
至少一红光发光件，该红光发光件设于该基板，且放射红光光源同时与该白光混光；及
至少一绿光发光件，该绿光发光件设于该基板，且放射绿光光源同时与该白光及该红光混光。
2.根据权利要求1所述的高演色性发光二极管的结构，其特征在于：其中该发光件为蓝色芯片激发黄色荧光粉产生波长介于545nm至585nm的黄绿光与波长介于430nm至480nm的蓝光混合而成。
3.根据权利要求1所述的高演色性发光二极管的结构，其特征在于：其中该红光发光件的红光波长介于595nm至640nm。
4.根据权利要求1所述的高演色性发光二极管的结构，其特征在于：其中该绿光发光件的绿光波长介于500nm至550nm。
5.根据权利要求1所述的高演色性发光二极管的结构，其特征在于：其中该荧光粉为黄绿色荧光粉。
6.根据权利要求1所述的高演色性发光二极管的结构，其特征在于：其中该发光件为白光发光二极管。
7.根据权利要求1所述的高演色性发光二极管的结构，其特征在于：其中该红光发光件为红光发光二极管。
8.根据权利要求1所述的高演色性发光二极管的结构，其特征在于：其中该绿光发光件为绿光发光二极管。
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