[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供衬底，所述衬底分为熔丝区和焊垫区，所述熔丝区形成有熔丝结构，所述焊垫区形成有焊垫，所述熔丝结构与焊垫间隔，所述熔丝结构包括表层的第一抗刻蚀层，所述焊垫包括表层的第二抗刻蚀层；

形成保护层，所述保护层覆盖焊垫、熔丝结构及衬底；

在保护层上形成光刻胶层并进行图形化，在所述光刻胶层中形成开口，所述开口暴露出部分焊垫位置的保护层、所述开口还暴露出熔丝结构位置及其之外两侧部分的保护层；

进行第一次刻蚀，直至熔丝区暴露出第一抗刻蚀层，同时焊垫区暴露出第二抗刻蚀层；

进行第二次刻蚀，去除焊垫的表层的第二抗刻蚀层以及熔丝结构表层的第一抗刻蚀层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第一次刻蚀对保护层的刻蚀速度大于对焊垫与熔丝结构的刻蚀速度，所述第二次刻蚀对焊垫与熔丝结构的刻蚀速度大于对衬底或保护层的刻蚀速度。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第一次刻蚀采用CF₄、O₂、CHF₃和Ar的混合气体。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于：CF₄的供气流量为780～820sccm，O₂的供气流量为8～12sccm，CHF₃的供气流量为18～22sccm，Ar的供气流量为80～120sccm；供气压力为约150mTorr。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第二次刻蚀采用Cl₂与BCl₃的混合气体。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于：Cl₂的供气流量为25～35sccm，BCl₃的供气流量为35～45sccm；供气压力为约8mTorr。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第一次刻蚀和第二次刻蚀采用不同的刻蚀机台进行，所述第一次刻蚀采用刻蚀绝缘体的刻蚀机台进行，所述第一次刻蚀采用刻蚀金属的刻蚀机台进行。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第一抗刻蚀层和第二抗刻蚀层采用抗反射材料。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第一抗刻蚀和第二抗刻蚀层采用氮化钛材料。

10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述焊垫与熔丝结构上方覆盖的保护层厚度相同，以使第一次刻蚀时焊垫与熔丝结构同时暴露在外。