[发明专利]用于从静电吸盘最优化移开晶片的方法

权利要求书

1.一种衬底处理系统，包括：

静电吸盘；

提升销，所述提升销用于相对于所述静电吸盘移动晶片；

电机，所述电机与所述提升销耦接并且利用电机电流移动所述提升销，以便相对于所述静电吸盘移动所述晶片；以及

电压源，所述电压源与所述静电吸盘耦接，所述电压源用于施加电压到所述静电吸盘；以及

控制器，所述控制器用于测量所述提升销上的力、发送信号给所述电压源以调整施加到所述静电吸盘的所述电压，并且发送信号给所述电压源以固定在所述提升销上所测量的力对应于释放力的值时施加到所述静电吸盘的所述电压。

2.如权利要求1所述的衬底处理系统，其中，所述控制器用于通过测量所述电机电流来测量所述提升销上的所述力。

3.如权利要求2所述的衬底处理系统，其中，所述控制器用于从所测量的电机电流确定电机转矩。

4.如权利要求1所述的衬底处理系统，其中，所述控制器用于通过施加扫描电压来调整所述电压。

5.如权利要求4所述的衬底处理系统，其中，所述扫描电压介于约-5000V和+5000V之间。

6.如权利要求1所述的衬底处理系统，其中，所述控制器用于在完成处理室中的所述晶片的处理之后发送信号给所述电机以升高所述提升销到压力位置。

7.如权利要求1所述的衬底处理系统，其中，所述静电吸盘选自由单极静电吸盘、双极静电吸盘和多极静电吸盘构成的组。

8.如权利要求1所述的衬底处理系统，其中，所述控制器用于使用力传感器测量所述提升销上的所述力。

9.一种用于从静电吸盘释放晶片的方法，包括：

监测提升销结构上的力；

基于所述力确定释放电压；以及

以所述释放电压释放所述晶片。

10.如权利要求9所述的方法，其中，监测所述提升销结构上的所述力包括监测电机转矩，并且其中基于所述力确定所述释放电压包括基于所述电机转矩确定所述释放电压。

11.如权利要求9所述的方法，其中，以所述释放电压释放所述晶片包括：

施加扫描范围的电压，所述电压被施加到所述静电吸盘；以及

当所述电机转矩处于对应于所述释放电压的值时，将所述电压固定在所述释放电压。

12.如权利要求9所述的方法，其中，以所述释放电压释放所述晶片包括利用所述电机致动所述提升销结构。

13.如权利要求9所述的方法，其中，监测力包括测量电机电流。

14.如权利要求9所述的方法，还包括通过监测晶片松开时的力校准与所述提升销结构耦接的控制器。

15.如权利要求9所述的方法，还包括通过监测晶片轻微夹紧时的力校准与所述提升销结构耦接的控制器。

16.如权利要求10所述的方法，其中，监测所述电机转矩包括识别最小电机电流。

17.如权利要求16所述的方法，其中，调整所述电压包括施加对应于所述最小电机电流的电压。

18.如权利要求16所述的方法，其中，如果所述最小值在预定的经验值范围内，则调整所述电压包括施加对应于所述最小电机电流的电压。

19.如权利要求16所述的方法，其中，如果所述电机电流为负，则调整所述电压包括施加对应于所述最小电机电流的电压。

20.如权利要求16所述的方法，其中，调整所述电压包括施加对应于所述最小电机电流的电压，并且其中所述方法还包括：

致动所述提升销到中间位置；

当致动所述提升销时监测所述电机电流以识别跟随有第二最小电机电流的尖峰；以及

如果出现所述尖峰并且跟随有所述第二最小值，则致动所述提升销到移开位置。

21.如权利要求20所述的方法，还包括确定所述第一最小值和第二最小值是否落入预定的经验值范围内。

22.如权利要求20所述的方法，还包括确定所述第一最小值和第二最小值是否为负。

23.如权利要求16所述的方法，其中，使用力传感器监测所述提升销结构上的力。