[发明专利]横向扩散型金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种横向扩散型金属氧化物半导体晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积场板介电层；图形化所述场板介电层，形成横向扩散型金属氧化物半导体晶体管的场板。

2.如权利要求1所述的横向扩散型金属氧化物半导体晶体管的制作方法，其特征在于，采用各向同性刻蚀方式图形化所述场板介电层。

3.如权利要求1所述的横向扩散型金属氧化物半导体晶体管的制作方法，其特征在于，经过所述各向同性刻蚀形成的场板具有边缘部分和平台部分两个部分，所述边缘部分为斜坡状。

4.如权利要求1所述的横向扩散型金属氧化物半导体晶体管的制作方法，其特征在于，所述场板介电层的厚度为2000埃至5000埃。

5.如权利要求1所述的横向扩散型金属氧化物半导体晶体管的制作方法，其特征在于，所述场板介电层为氧化硅。

6.如权利要求5所述的横向扩散型金属氧化物半导体晶体管的制作方法，其特征在于，所述氧化硅的沉积方法为低压化学气相淀积或低温化学气相淀积。

7.如权利要求5所述的横向扩散型金属氧化物半导体晶体管的制作方法，其特征在于，图形化所述场板介电层采用缓冲氧化刻蚀剂湿法腐蚀方式，反应条件为：缓冲氧化刻蚀剂溶液中NH₄F与HF的配比为7∶1至20∶1，反应温度为20摄氏度至25摄氏度，腐蚀速率为300至800埃/分钟，反应时间为5分钟至15分钟。

8.如权利要求1所述的横向扩散型金属氧化物半导体晶体管的制作方法，其特征在于，还依次包括：在半导体衬底上邻近场板的部分区域形成栅介电层；形成栅电极，所述栅电极覆盖场板的部分区域及栅介电层的全部区域；对所述半导体衬底进行离子注入，在与栅介电层相邻的半导体衬底中形成体区；对所述半导体衬底进行退火，在栅介电层下方的部分半导体衬底中形成反型沟道区；对所述半导体衬底进行离子注入，在邻近栅介电层一侧的体区中形成漏区、在邻近场板一侧的半导体衬底中形成源区。

9.一种横向扩散型金属氧化物半导体晶体管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的场板介电层，作为横向扩散型金属氧化物半导体晶体管的场板。

10.如权利要求9所述的横向扩散型金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述场板包括相邻的边缘部分和平台部分，所述边缘部分为斜坡状。

11.如权利要求10所述的横向扩散型金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述场板的平台部分厚度为2000埃至5000埃。

12.如权利要求9所述的横向扩散型金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述场板介电层为氧化硅。

13.如权利要求9所述的横向扩散型金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，还包括：位于半导体衬底上的栅介电层，所述栅介电层与场板相邻且无间隙；栅电极，所述栅电极覆盖场板的部分区域及栅介电层的全部区域；体区，位于半导体衬底内并延伸至栅介电层一侧的下方，位于栅介电层一侧下方的体区形成反型沟道区；漏区，位于体区内，与反型沟道区相邻；源区，位于场板的远离栅介电层一侧的半导体衬底内。