[发明专利]半导体制造平台的泄漏检测装置、其使用方法及其平台

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件制造领域，由其涉及半导体制造平台的泄漏检测。

背景技术

一般地，半导体存储器之类的集成电路器件，通过在如硅晶片之类的半导体基片上进行各种重复的单元工艺而制成，以形成集成电路。单元工艺包括沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺、化学机械抛光工艺、清洗工艺、干燥工艺等。

现今的半导体器件的制造中，等离子体处理，尤其是等离子体增强化学气相淀积(PEVCD)等，已得到广泛的应用。

在半导体制造平台中，通过管道与处理室相流通的远程等离子体源(RPS)将反应气体生成为等离子体，并且通过所述管道而将等离子体送入反应腔室中，以对处理室中的物体进行处理。

因此，对于半导体制造平台而言，泄漏检测是一个非常重要的方面。此外，远程等离子体源通常具有外部泄漏。在现有常见的半导体制造平台中，例如，应用材料公司的CENTURA平台，处理平台本身无法进行远程等离子体源的泄漏检测。

业界中所谓的泄漏检测系指，检测处理室的泄漏率是否达到一定的目标指，在CENTURA平台上，这一目标值一般是10mT/min。

图1为现有技术中，CENTURA平台进行泄漏检测的示意图。由于远程等离子体源110`连接至处理室102`，因此当需要进行处理室泄漏检测时，通常采用的方法是抽空(pump down)处理室并且关闭泵104`与处理室102`之间的隔离阀106`和TV阀108，以检测处理室的压力是否有所变化。

由于处理室泄漏率＝空间压力变化(处理室+连接至处理室的部分/变化时间，因此，当我们关闭隔离阀106`和TV阀108`时，实际检测的空间是处理室102`和远程等离子体源110`。也就是说，我们所得到的泄漏率的数据既包括处理室102`的泄漏率，也包括远程等离子体源110`的泄漏率。因此，无法判定到底是哪一部分发生了泄漏。

因此，在现有技术中，若需要知道远程等离子体源和处理室各自的泄漏率，就需要拆除远程等离子体源，并且对连接至远程等离子体源的一侧进行密封。

上述现有的泄漏率检测具有很多不足之处。首先，由于远程等离子体源的设计结构很特殊，拆除远程等离子体源很耗时，一般需要3小时之久。其次，在拆除远程等离子体源时，会增加发生O型环泄漏之类泄漏的风险。并且，最重要的是，难以快速检测到底是哪一部分发生了泄漏。

综上所述，需要一种改进的检测泄漏的装置。

发明内容

有鉴于现有技术的难以快速进行泄漏检测的问题，本发明所要解决的技术问题是提供一种能迅速检测出泄漏部位的泄漏检测装置。

根据本发明的一个方面，提供了一种用于半导体制造平台的泄漏检测装置，所述半导体制造平台包括流体连通的远程等离子体源、处理室以及泵，所述远程等离子体源向所述处理室供给等离子体，所述泵抽吸所述处理室以使其为真空。所述泄漏检测装置包括：设在所述远程等离子体源与所述处理室之间的隔离单元，其使得所述远程等离子体源与所述处理室可断开地连通；检测单元，其检测所述处理室的泄漏率。

一些实施例中，所述隔离单元为手动阀。

一些实施例中，所述处理室与所述泵之间包括隔离阀和TV阀。

根据本发明的另一方面，提供了一种使用前述的装置检测半导体制造平台的泄漏的方法，所述半导体制造平台包括流体连通的远程等离子体源、处理室以及泵，所述远程等离子体源向所述处理室供给等离子体，所述泵抽吸所述处理室以使其为真空。所述方法包括如下步骤：(a)利用所述检测单元检测所述处理室的泄漏率，其中若所述检测单元测得所述处理室的泄漏率数据正常，则判定所述半导体制造处理平台未发生泄漏；若所述检测单元测得所述处理室的泄漏率数据不正常，则判定所述半导体制造处理平台发生泄漏；(b)若所述半导体制造处理平台发生泄漏，则关闭所述隔离单元；(c)再利用所述检测单元检测所述处理室的泄漏率；其中，若所述检测单元测得所述处理室的泄漏率数据正常，则判定所述远程等离子体源发生泄漏；若所述检测单元测得所述处理室的泄漏率数据不正常，则判定所述处理室发生泄漏。

一些实施例中，在检测所述处理室的泄漏率时，隔断所述处理室与所述泵。

根据本发明的再一方面，提供了一种半导体制造平台，包括流体连通的远程等离子体源、处理室以及泵，所述远程等离子体源向所述处理室供给等离子体，所述泵抽吸所述处理室以使其为真空。所述半导体制造平台还包括前述泄漏检测装置

一些实施例中，所述隔离单元为手动阀。

一些实施例中，所述处理室与所述泵之间设有隔离阀和TV阀。