[发明专利]非晶硅/单晶硅异质结太阳能电池铝背电场制备方法无效
| 申请号： | 201010186977.9 | 申请日： | 2010-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101872812A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 曾祥斌;曾瑜;张笑;姜礼华;李民英;陈宇 | 申请（专利权）人： | 广东志成冠军集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人： | 刘伍堂 |
| 地址： | 523718 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非晶硅 单晶硅 异质结 太阳能电池 电场 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.非晶硅/单晶硅异质结太阳能电池铝背电场制备方法，其特征在于，制备步骤为：
(1)清洗双面抛光p型单晶硅片；
(2)在单晶硅衬底上丝网印刷铝浆；
(3)在干燥箱中预烘，去掉铝浆中的有机物；
(4)在快速热处理炉温度为700℃±20℃条件下，对上述经预烘处理后的p型单晶硅片进行快速热退火。
2.如权利要求1所述的非晶硅/单晶硅异质结太阳能电池铝背电场制备方法，其特征在于，步骤1所述的单晶硅片的厚度为200～220微米，电阻率为1～5Ω·cm。
3.如权利要求1所述的非晶硅/单晶硅异质结太阳能电池铝背电场制备方法，其特征在于，步骤3所述预烘的温度控制在180～210℃，预烘时间不少于5min。
4.如权利要求1所述的非晶硅/单晶硅异质结太阳能电池铝背电场制备方法，其特征在于，步骤4所述的退火时间为1～1.5min。
5.如权利要求1所述的非晶硅/单晶硅异质结太阳能电池铝背电场制备方法，其特征在于，所述步骤1中所述的单晶硅片为CZ单晶硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
