[发明专利]多基准电压发生电路无效
申请号: | 201010186670.9 | 申请日: | 2010-05-27 |
公开(公告)号: | CN101833349A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 丁启源;程玉华;冯亮;侯鹏;贾孟军;鞠敏 | 申请(专利权)人: | 上海北京大学微电子研究院 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基准 电压 发生 电路 | ||
1.一种多基准电压发生电路,包括多基准电压发生结构,其特征在于,还包括用于接收外部电源的电压,并输出电压提供给所述发生结构的电源结构。
2.如权利要求1所述的发生电路,其特征在于,还包括负反馈电路,所述负反馈电路包括:
采集模块,用于采集所述电源结构输出的电压的波动;
放大模块,连接至采集模块,用于放大采集模块采集到的波动;
负反馈模块,用于将放大模块放大的波动负反馈到所述电源结构,以减小所述电源结构后续输出电压的波动。
3.如权利要求2所述的发生电路,其特征在于,所述采集模块连接至所述多基准电源发生结构,从该多基准电源发生结构采集所述波动。
4.如权利要求3所述的发生电路,其特征在于,所述采集模块由PMOS及NMOS串联构成。
5.如权利要求2所述的发生电路,其特征在于,所述采集模块连接至所述电源结构,用于从该电源结构采集所述波动。
6.如权利要求2所述的发生电路,其特征在于,所述放大模块为共源共栅结构。
7.如权利要求6所述的发生电路,其特征在于,所述共源共栅结构通过所述多基准电源发生结构产生的基准电压来进行偏置。
8.如权利要求2所述的发生电路,其特征在于,所述负反馈模块由NMOS构成。
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