[发明专利]一种低功耗低杂散的正交输入正交输出二分频器无效

专利信息
申请号: 201010186487.9 申请日: 2010-05-27
公开(公告)号: CN101834603A 公开(公告)日: 2010-09-15
发明(设计)人: 任俊彦;傅海鹏;蔡德鋆;陈丹凤;李宁;李巍;叶凡 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: H03L7/18 分类号: H03L7/18
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 功耗 低杂散 正交 输入 输出 分频器
【权利要求书】:

1.一种正交输入正交输出二分频器,其特征在于该二分频器由负载级,跨导级,混频级和电流源偏置电路经电路连接组成;其中,由跨导级和混频级组成电路的主体结构,跨导级将输入电压信号转变为电流信号,与输出信号在混频器级完成分频功能,最后通过负载级输出;偏置电路由两个NMOS晶体管组成。

2.如权利要求1所述的正交输入正交输出二分频器,其特征在于:PMOS晶体管M35-M49的漏端连接到电源VDD,源端分别连接到电阻R1-R12的一端;其中,电阻R1-R3的另一端连接到输出端OUTI,电阻R4-R6的另一端连接到输出端OUTIB,电阻R7-R9的另一端连接到输出端OUTQB,电阻R10-R12的另一端连接到输出端OUTQ。

3.如权利要求2所述的正交输入正交输出二分频器,其特征在于:输出端OUTI连接到混频器级的NMOS管M19的漏端和栅端,M21的漏端,M22的栅端,M27的漏端,M29的漏端,M31的栅端和M34的栅端;输出端OUTIB连接到混频器级的NMOS管M20的栅端和漏端,M21的栅端,M22的漏端,M28的漏端,M30的漏端,M32的栅端和M33的栅端;输出端OUTQB连接到混频器级的NMOS管M23的漏端,M24的栅端,M25的栅端和漏端,M28的栅端,M29的栅端,M32的漏端,M34的漏端;输出端OUTQ连接到混频器的NMOS管M23的栅端,M24的漏端,M26的栅端和漏端,M27的栅端,M30的栅端,M31的漏端,M33的漏端;NMOS管M19,M20,M23和M24的源端接到跨导级NMOS管M25的漏端;NMOS管M21,M22,M25和M26的源端接到跨导级的NMOS管M26的漏端;NMOS管M27,M28,M31和M32的源端接到跨导级的NMOS管M17的漏端;NMOS管M27,M28,M29和M30的源端接到跨导级的NMOS管M2的漏端。

4.如权利要求3所述的正交输入正交输出二分频器,其特征在于:NMOS管M2,M6,M10和M14的漏端连接到电流偏置电路NMOS管M2的漏端;NMOS管M2的栅端连接到NMOS管M1的栅端和漏端构成电流镜,NMOS管M1的漏端连接到外部的电流源,NMOS管M2和M1的源端接到地VSS;NMOS管M2,M6,M10和M14构成可变电流源,M3和M5漏端连接到NMOS管M2的栅端,NMOS管M3和M5的源端连接到NMOS管M4的漏端和M6的栅端,NMOS管M4的源端连接到地VSS;NMOS管M7和M9漏端连接到NMOS管M2的栅端,NMOS管M7和M9的源端连接到NMOS管M8的漏端和M10的栅端,NMOS管M8的源端连接到地VSS;NMOS管M11和M13漏端连接到NMOS管M2的栅端,NMOS管M11和M13的源端连接到NMOS管M12的漏端和M14的栅端,NMOS管M12的源端连接到地VSS。

5.如权利要求4所述的正交输入正交输出二分频器,其特征在于:输入信号经过隔直电容C1-C4后,被电阻R13-R16偏置后输入到跨导级。

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