[发明专利]一种电子陶瓷材料的高低温循环烧结方法无效
申请号: | 201010185881.0 | 申请日: | 2010-05-28 |
公开(公告)号: | CN101844927A | 公开(公告)日: | 2010-09-29 |
发明(设计)人: | 苏桦;张怀武;唐晓莉;钟智勇;荆玉兰 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C04B35/64 | 分类号: | C04B35/64;C04B35/26 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子 陶瓷材料 低温 循环 烧结 方法 | ||
1.一种电子陶瓷材料的高低温循环烧结方法,包括升温过程、烧结过程和降温过程;其特征在于,所述烧结过程为一种高低温循环烧结过程:首先使得烧结对象,即电子陶瓷材料在高温点T1下保温较短的时间t1,然后将烧结对象迅速降温至低温点T2并保温较长的时间t2;再将烧结对象升温至高温点T1并保温较短的时间t1,然后将烧结对象迅速降温至低温点T2并保温较长的时间t2;如此循环数次;
其中,高温点T1的选择应确保最初升温到T1时电子陶瓷材料已获得超过70%的理论密度,这样电子陶瓷材料中的气孔会处于一种不稳定的状态,在毛细管力的作用下,在随后较低的温度下仍然能够通过晶界扩散来逐渐排除;低温点T2的选择应确保晶界的迁移过程已基本停止,而晶界扩散过程仍然能够进行;
其中,高温点T1下较短的保温时间t1不超过5分钟;低温点T2下较长的保温时间t2为t1的2~10倍。
2.根据权利要求1所述的电子陶瓷材料的高低温循环烧结方法,其特征在于,所述电子陶瓷材料为NiCuZn铁氧体陶瓷材料;所述升温过程的升温速率为2.5℃/分钟;所述高温点T1为1200℃,低温点t2为1100℃;所述t1为5分钟,t2为35分钟;所述T1至T2的降温时间为5分钟,T2至T1的升温时间为15分钟;所述降温过程的降温方式为随炉冷却。
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