[发明专利]铬合金靶材及具有硬质薄膜的金属材料无效
| 申请号： | 201010185520.6 | 申请日： | 2010-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN102251222A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 董寰乾;李至隆;邱军浩 | 申请（专利权）人： | 中国钢铁股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曹小刚;李连涛 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 合金 具有 硬质 薄膜 金属材料 | ||
1.铬硅合金靶材，由铬和硅组成，其中该铬所占的重量百分比为5％至95％；
其中所述铬硅合金靶材当经由物理气相溅射工艺所产生的薄膜的厚度大于或等于2微米时，该薄膜的维氏硬度值为Hv800至Hv1200。
2.如权利要求1所述的铬硅合金靶材，其中该物理气相溅射工艺选自由直流式溅射工艺、中频式溅射工艺、射频式溅射工艺及磁控管溅射工艺所组成的群组。
3.铬锗合金靶材，由铬及锗组成，其中该铬所占的重量百分比为5％至95％；
其中所述铬锗合金靶材当经由物理气相溅射工艺所产生的薄膜的厚度大于或等于2微米，该薄膜的维氏硬度值为Hv800至Hv1000。
4.如权利要求3所述的铬锗合金靶材，其中该物理气相溅射工艺选自由直流式溅射工艺、中频式溅射工艺、射频式溅射工艺及磁控管溅射工艺所组成的群组。
5.具有硬质薄膜的金属材料，包含：
金属基板；以及
铬硅合金薄膜，其由铬硅合金靶材通过物理气相溅射工艺形成于该金属基板的一个表面上；
其中该铬硅合金靶材由铬及硅组成，且该铬所占的重量百分比为5％至95％；
其中当该铬硅合金薄膜的厚度大于或等于2微米时，该铬硅合金薄膜的维氏硬度值为Hv800至Hv1200。
6.如权利要求5所述的具有硬质薄膜的金属材料，其中该金属基板的材料选自由不锈钢、铜合金、铝合金、镁合金、钛合金及上述材料的任意组合所组成的群组。
7.如权利要求5所述的具有硬质薄膜的金属材料，还包含介于所述金属基板和所述铬硅合金薄膜之间的金属薄膜；
其中该金属薄膜的材料选自由不锈钢、镍合金、钛、锆、铜、镍及铬所组成的群组。
8.如权利要求5所述的具有硬质薄膜的金属材料，其中该物理气相溅射工艺选自由直流式溅射工艺、中频式溅射工艺、射频式溅射工艺及磁控管溅射工艺所组成的群组。
9.具有硬质薄膜的金属材料，包含：
金属基板；以及
铬锗合金薄膜，其由铬锗合金靶材通过物理气相溅射工艺形成于该金属基板的一个表面上；
其中该铬锗合金靶材由铬及锗组成，且该铬所占的重量百分比为5％至95％；
其中当该铬锗合金薄膜的厚度大于或等于2微米时，该铬锗合金薄膜的维氏硬度值为Hv800至Hv1000。
10.如权利要求9所述的具有硬质薄膜的金属材料，其中该金属基板的材料选自由不锈钢、铜合金、铝合金、镁合金及钛合金所组成的群组。
11.如权利要求9所述的具有硬质薄膜的金属材料，还包括介于所述金属基板和所述铬锗合金薄膜之间的金属薄膜；
其中所述金属薄膜的材料选自由不锈钢、镍合金、钛、锆、铜、镍及铬所组成的群组。
12.如权利要求9所述的具有硬质薄膜的金属材料，其中该物理气相溅射工艺选自由直流式溅射工艺、中频式溅射工艺、射频式溅射工艺及磁控管溅射工艺所组成的群组。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国钢铁股份有限公司，未经中国钢铁股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010185520.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种夜光锁孔贴
- 下一篇：一种利用磁性离子液体复合材料固定化酶的方法
- 同类专利
- 专利分类
