[发明专利]一种大功率高电流密度整流二极管芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种大功率高电流密度整流二极管芯片，其特征在于该芯片由硼区、N型区和浓磷区组成，所述的硼区、N型区和浓磷区依次排列，其中所述的硼区的厚度为50-60μm，所述的浓磷区的厚度为10-12μm，芯片总厚度为180-200μm。

2.一种如权利要求1所述的大功率高电流密度整流二极管芯片的制造方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

(1)采用乳胶磷源扩散方法在N型硅片的两个表面扩散磷，使形成的每个浓磷区厚度为10-12μm，扩散过程为：

(1-1)在二氧化硅乳胶中加入五氧化二磷，加入的质量比为：二氧化硅乳胶∶五氧化二磷＝1∶0.1-0.5，使完全溶解，成为含磷二氧化硅乳胶源；

(1-2)将上述含磷二氧化硅乳胶源涂布在N型硅片的两个表面，涂布层厚度为3000-4000埃；

(1-3)将涂胶后的N型硅片置于100℃-200℃下烘烤5-10分钟；

(1-4)将上述烘烤后的N型硅片送入扩散炉中，在1200℃-1260℃下扩散1.5-2.5小时；

(2)将上述两个浓磷区中的一个磨去，在磨去了浓磷区的表面扩散硼，使硼区的厚度为50-60μm，扩散过程为：

(2-1)在二氧化硅乳胶中加入三氧化二硼，加入的质量比为：二氧化硅乳胶∶三氧化二硼＝1000∶20-30，使完全溶解，成为含硼二氧化硅乳胶源；

(2-2)将上述含硼二氧化硅溶解源涂布在N型硅片的磨去了浓磷区的表面，涂布层厚度为6000-8000埃；

(2-3)将涂胶后的硅片置于100℃-200℃下烘烤5-10分钟；

(2-4)将上述烘烤后的硅片送入扩散炉中，在1200℃-1260℃下扩散12-18小时。