[发明专利]发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装

说明书

技术领域

本文描述的一个或更多个实施方案涉及发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装。

背景技术

发光二极管(LED)和激光二极管(LD)可以用作移动电话键盘板、电子公告牌和其他类型电子和/或照明装置的光源。但是，这些装置仍需改进。

发明内容

本文描述的一个或更多个实施方案涉及如下所述发光器件以及具有该发光器件的发光器件封装

1.一种发光器件，包括：

衬底；

在所述衬底的表面上散布的多个簇；

在所述多个簇上设置的第一半导体层，其中所述第一半导体层包括在所述多个簇上设置的气隙；以及

发光结构，所述发光结构包括：邻接所述第一半导体层的第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电型半导体层。

2.根据1所述的发光器件，其中所述簇包括MgN簇或Mg簇。

3.根据1所述的发光器件，其中所述气隙与所述簇对准。

4.根据1所述的发光器件，其中所述衬底包括：在所述簇层下的掺杂半导体层或未掺杂半导体层、II-VI族元素中至少一种的缓冲层中的至少一种。

5.根据1所述的发光器件，其中所述第一半导体层包括：未掺杂半导体层、非导电半导体层或导电半导体层中的至少一种。

6.根据1所述的发光器件，还包括：在所述第一半导体层和所述第一导电型半导体层之间的第二半导体层。

7.根据6所述的发光器件，其中所述第二半导体层包括超晶格结构。

8.根据1所述的发光器件，其中所述第一半导体层中的所述气隙中的至少一个为锥形。

9.根据1所述的发光器件，其中所述衬底是导电型衬底。

10.根据1所述的发光器件，还包括：与所述第一导电型半导体层连接的第一电极、以及与所述第二导电型半导体层连接的第二电极。

11.根据1所述的发光器件，其中所述气隙是对齐的。

12.根据1所述的发光器件，其中所述第一半导体层与所述衬底之间的接触面积大于所述第一半导体层和所述簇层之间的接触面积。

13.根据1所述的发光器件，其中所述衬底由硅制成。

14.根据1所述的发光器件，还包括：在所述第二导电型半导体层上的透射性电极层或反射性电极层中的至少一种。

15.一种发光器件封装，具有根据1所述的发光器件，并具有封装体和在所述封装体上的多个引线电极。

16.根据15所述的发光器件封装，还包括：覆盖所述发光器件的模制元件。

附图说明

将结合以下附图详细描述实施方案，其中相同的附图标记表示相同的要素：

图1是示出发光器件第一实施方案的视图；

图2～5是对应可用于图1的发光器件的制造工艺的视图；

图6是示出发光器件第二实施方案的视图；

图7是示出应用图1的发光器件的横向型发光器件的剖面视图的图；

图8是示出应用图1的发光器件的垂直型发光器件的剖面视图的图；

图9是示出应用图7的发光器件的发光器件封装的图；

图10是示出应用图9的发光器件封装的光单元的视图；和

图11是示出应用图9的发光器件封装的背光单元的视图。

具体实施方式

图1示出发光器件100的第一实施方案，发光器件100包括：衬底110、簇(cluster)层115、具有孔的第一多孔半导体层125、第二半导体层130、第一导电型半导体层140、有源层150和第二导电型半导体层160。

衬底110包括导电衬底或绝缘衬底。例如，衬底110可包括Al₂O₃、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ga₂O₃和Ge中的至少一种。可在衬底110上形成凹凸结构，但是本实施方案不限于此。

在衬底110上形成簇层115。簇层115可在衬底110上以任意形状和任意尺寸形成。所述任意形状可包括基本球形、椭圆形、多边形或其他几何形状。在其他实施方案中，形状可以是不规则形状。

簇层115可选择为包括一种或更多种II族元素。根据一个实施方案，簇层115可包括MgN籽层或Mg簇层。簇层115的簇尺寸可以从几埃到几千埃(例如，1～9000)。另外，根据前述一种或更多种形状，簇层115可形成为具有一个或几个规则间隔或/和预定形状，或者簇层可形成为具有不规则间隔。