[发明专利]一种β-AgVO3纳米线硫化氢气敏材料及其用于制作气敏传感器的方法

权利要求书

1.一种硫化氢气敏材料，其特征在于它为β-AgVO₃，具有纳米线的一维结构，直径为100～700nm、长达15～40微米。

2.权利要求1所述的硫化氢气敏材料的制备方法，其特征在于，包括有以下步骤：

1)将V₂O₅粉末在800℃加热30分钟，使其融化后倒入冷水中搅拌均匀，加热至沸并不停搅拌，冷却后抽滤三次，将滤液静置一天得到V₂O₅溶胶，标定其浓度，浓度范围为0.0215～0.0429mol/L，备用；

2)将步骤1)得到的V₂O₅溶胶与Ag₂O粉末按物质的量之比为1∶1混合，室温下搅拌0.5～1小时，然后置于超声波清洗器中以50 W的功率超声处理0.5～1小时，得到流变相物质；

3)将步骤2)得到的流变相物质移入聚四氟乙烯衬底的不锈钢反应釜中，在180℃温度下恒温24小时，然后自然冷却，得到水热产物；

4)将步骤3)得到的水热产物过滤，用去离子水洗涤3次以上；

5)将步骤4)过滤洗涤的产物在80℃干燥12～24小时得到硫化氢气敏材料β-AgVO₃纳米线。

3.用权利要求1所述的硫化氢气敏材料制作硫化氢气敏传感器的方法，其特征在于，基于单根β-AgVO₃纳米线的硫化氢气敏传感器的制作包括如下步骤：

1)用电子束刻蚀和真空蒸镀将金电极沉积到表面有一层30～100nm厚的SiO₂的Si基片上；

2)将β-AgVO₃纳米线置于乙醇中超声分散后滴在表面有一层30～100nm厚的SiO2的Si基片上，选取分散较好的单根β-AgVO₃纳米线定位在金电极上；

3)采用聚焦离子束技术在两端电极接触点沉积一层300～600nm厚的金属Pt，即制得单根β-AgVO₃纳米线的硫化氢气敏传感器件。