[发明专利]一种存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种装置，其特征在于，包括：

一基底，具有一第一区域与一第二区域；

所述第一区域包括：

一第一场效应晶体管，包括位于所述基底内的一第一掺杂区与一第二掺杂区，所述第一掺杂与所述第二掺杂区被一水平通道区隔开，所述第一场效应晶体管的一栅极位于所述水平通道区上面，且一第一介电层覆盖着所述第一场效应晶体管的所述栅极；

所述第二区域包括：

一第二场效应晶体管，包括：

一第一端，穿过所述第一介电层而延伸以接触所述基底；

一第二端，位于所述第一端上面，且具有顶面；

一垂直通道区，将所述第一端与所述第二端隔开；

所述第二场效应晶体管的一栅极，位于所述第一介电层上面且邻近所述垂直通道区，所述第二场效应晶体管的所述栅极具有与所述第二端的顶面共面的顶面；以及

一第二介电层，将所述第二场效应晶体管的所述栅极与所述垂直通道区隔开。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一区域是周边区域，所述第二区域是存储器区域，且所述第二区域更包括一存储元件，所述存储元件电性地耦接至所述第二场效应晶体管的所述第二端。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一区域是周边区域，所述第二区域是存储器区域，且所述第二区域更包括：

多条字线，在所述第一介电层上；

一阵列，包括多个场效应晶体管，所述场效应晶体管包括所述第二场效应晶体管，所述第二场效应晶体管的所述栅极耦接至所述字线中的对应的字线；以及

一可编程电阻存储材料，电性地耦接至所述第二场效应晶体管的所述第二端，且一导电材料在所述可编程电阻存储材料上面。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于：

位于所述可编程电阻存储材料上面的所述导电材料包括多条位线；以及

所述第二区域更包括一共享掺杂区，所述共享掺杂区在所述基底内，且位于所述阵列的所述晶体管的所述第一端下面，以共享源极的组态来耦接所述阵列。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述可编程电阻存储材料包括多个条状体，所述条状体位于所述位线中的对应的位线下面。

6.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，更包括多条位线，所述位线在所述基底内，且位于所述第二场效应晶体管的所述第一端下面，所述第二场效应晶体管的所述第一端与所述位线中的对应的位线相接触。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述可编程电阻存储材料与所述导电材料是一存储平面，所述存储平面包括一整层的所述可编程电阻存储材料，所述可编程电阻存储材料位于所述阵列的所述第二场效应晶体管的所述第二端上面，所述导电材料耦接至一共享电压。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于：

所述第二场效应晶体管的所述垂直通道区具有一俯视横剖面通道面积；以及

所述存储平面包括所述可编程电阻存储材料的多个存储块，所述存储块的一俯视横剖面块面积大于或等于所述俯视横剖面通道面积的十倍。

9.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，更包括多个通孔，所述通孔在所述字线内，所述通孔中的一个通孔具有一侧壁表面，所述侧壁表面包围着所述垂直通道区以及所述第二场效应晶体管的所述第二端。

10.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述第二场效应晶体管的所述第一端、所述第二端以及所述垂直通道区构成叠层，所述叠层穿过对应的通孔而延伸。

11.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，更包括多个电极，所述电极中的对应的电极电性地耦接至所述第二场效应晶体管的所述第二端。

12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，更包括含有硅化物的导电盖，所述导电盖位于所述第二场效应晶体管的所述第二端上面，所述对应的电极穿过一第三介电层而延伸以接触所述导电盖的顶面。

13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述对应的电极具有与所述可编程电阻存储材料相接触的顶面，所述对应的电极的顶面的表面积小于所述导电盖的顶面的表面积。