[发明专利]主动元件阵列基板有效
申请号: | 201010182405.3 | 申请日: | 2010-05-18 |
公开(公告)号: | CN101853848A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 王参群;陈昱丞 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主动 元件 阵列 | ||
技术领域
本发明涉及一种阵列基板,且特别是有关于一种主动元件阵列基板。
背景技术
一般而言,液晶显示面板主要是由一主动元件阵列基板、一对向基板以及一夹于主动元件阵列基板与对向基板之间的液晶层所构成,其中主动元件阵列基板具有显示区(display region)与非显示区(non-display region),显示区内配置有多个阵列排列的像素单元,而每一像素单元包括主动元件以及与主动元件连接的像素电极。此外,显示区内更配置有多条扫描线(scan line)与数据线(data line),每一个像素单元的主动元件与对应的扫描线与数据线电性连接。非显示区内则配置有信号线、源极驱动器(source driver)以及栅极驱动器(gate driver)。
发明内容
本发明提供一种主动元件阵列基板,其具有较佳的显示品质。
本发明提出一种主动元件阵列基板,其包括一基板、多条扫描线、多条数据线、多条扫描信号传递线以及多个像素单元。扫描线设置于基板上。数据线与扫描线交错。扫描信号传递线与扫描线交错,各扫描信号传递线分别通过一结点与其中一条扫描线连接。多个像素单元与对应的扫描线及数据线电性连接,各像素单元包括一主动元件以及一像素电极。主动元件具有一栅极、一源极以及一漏极。像素电极与漏极电性连接,在未与结点邻接的像素单元中,各主动元件的栅极-漏极电容为Cgd1,而在与结点邻接的像素单元中,部分主动元件的栅极-漏极电容为Cgd2,其余主动元件的栅极-漏极电容为Cgd1,且Cgd1≠Cgd2。
本发明提出另一种主动元件阵列基板,其包括一基板、多条扫描线、多条数据线、多条扫描信号传递线以及多个像素单元。扫描线设置于基板上。数据线与扫描线交错。扫描信号传递线与扫描线交错,各扫描信号传递线分别通过一结点与其中一条扫描线连接。多个像素单元与对应的扫描线及数据线电性连接,各像素单元包括一主动元件以及一像素电极。主动元件具有一栅极、一源极以及一漏极。像素电极与主动元件电性连接,其中部分主动元件的栅极-漏极电容不同于另一部分主动元件的栅极-漏极电容,使得像素电极中的任两个的馈通(feed through)电位约小于0.03伏特。
基于上述,本发明是根据像素单元的位置,将像素单元的主动元件设计成具有不同的栅极-漏极电容。由于扫描信号传递线会对像素单元产生不同程度的馈通效应,因此利用栅极-漏极电容的差异来补偿馈通效应的差异,使像素单元具有较为接近的电性表现,进而使主动元件阵列基板具有较佳的显示品质。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附附图的说明如下:
图1为一种具有TGP布线架构的HSD主动元件阵列基板的等效电路示意图;
图2A为本发明一实施例的一种主动元件阵列基板的等效电路示意图;
图2B为图2A中像素单元220a’、220b’的主动元件222’的俯视示意图;
图2C为图2A中像素单元220a、220b的主动元件222的俯视示意图;
图3为本发明另一实施例的一种主动元件阵列基板的等效电路示意图;
图4为本发明另一实施例的一种主动元件阵列基板的等效电路示意图。
其中,附图标记
100、200、300、400:主动元件阵列基板
102、202、302、402:基板
120a、120a’、120b、120b’、220a、220a’、220b、220b’、320、320’、420、420’:像素单元
122、222、222’、322、322’、422、422’:主动元件
124、224、324、424:像素电极
223:半导体层
C1、C2:侧向电容
D:漏极
DL、DL1、DL2:数据线
N:结点
G、G’:栅极
S:源极
SL、SLn-1、SLn、SLn+1:扫描线
TGP:扫描信号传递线
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的