[发明专利]MOSFET结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201010181616.5 | 申请日： | 2010-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN102254945A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 骆志炯;朱慧珑;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mosfet 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：
半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成的栅堆叠，所述栅堆叠包括高k栅介质层和栅极主体层；
侧墙，包括在所述栅堆叠外侧依次形成的第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙由含La氧化物形成。
2.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述高k栅介质层包括HfO2、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO、Al2O3、La2O3、ZrO2、LaAlO和TiO2中任一种或多种的组合。
3.如权利要求1所述的方法，其中，所述含La氧化物包括La2O3、LaAlO、LaHfO、LaZrO中任一种或多种的组合。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一侧墙的厚度小于等于5nm。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述第二侧墙由氧化物形成。
6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述第二侧墙的外侧形成有第三侧墙。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述第三侧墙为氧化物、氮化物或低k材料。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述低k材料包括：SiO2、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、HSQ和MSQ中的任一种或多种的组合。
9.一种制作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上依次形成高k栅介质层、栅极主体层，并进行构图以形成栅堆叠；
在所述栅堆叠的外侧依次形成第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙由含La氧化物形成。
10.如权利要求9所述的方法，其中在栅堆叠的外侧依次形成第一侧墙和第二侧墙的步骤包括：
淀积第一氧化物层，并刻蚀所述第一氧化物层以在所述栅堆叠外侧形成第一侧墙，所述第一氧化物为含La氧化物；
淀积第二氧化物层，并干法刻蚀所述第二氧化物层以在第一侧墙外侧形成第二侧墙。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述含La氧化物为La2O3、LaAlO、LaHfO、LaZrO中任一种或多种的组合。
12.如权利要求9所述的方法，所述栅介质层包括HfO2、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO、Al2O3、La2O3、ZrO2、LaAlO和TiO2中任一种或多种的组合。
13.根据权利要求9至12中任一项所述的方法，在形成第二侧墙之后，还包括：
淀积第三氧化物层、氮化物层或低k材料层，并干法刻蚀所述第三氧化物层、氮化物层或低k材料层以在第二侧墙外侧形成第三侧墙。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述低k材料包括：SiO2、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、HSQ和MSQ中的任一种或多种的组合。
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