[发明专利]减少刻蚀残留物的晶圆氧化层刻蚀方法

权利要求书

1.一种减少刻蚀残留物的晶圆氧化层刻蚀方法，包括主刻蚀和过刻蚀，其特征在于：所述主刻蚀过程中通入到晶圆中心部分的主要刻蚀气体的流量大于等于通入到晶圆边缘部分的主要刻蚀气体的流量。

2.如权利要求1所述的减少刻蚀残留物的晶圆氧化层刻蚀方法，其特征在于，所述过刻蚀过程中通入到晶圆中心部分的主要刻蚀气体的流量大于等于通入到晶圆边缘部分的主要刻蚀气体的流量。

3.如权利要求1所述的减少刻蚀残留物的晶圆氧化层刻蚀方法，其特征在于，所述主刻蚀时，主要刻蚀气体通入晶圆中心部分的流量与通入晶圆边缘部分的流量之比为1-4。

4.如权利要求2或3所述的减少刻蚀残留物的晶圆氧化层刻蚀方法，其特征在于，所述过刻蚀时，主要刻蚀气体通入晶圆中心部分的流量与通入晶圆边缘部分的流量之比为1-4。

5.如权利要求1或2所述的减少刻蚀残留物的晶圆氧化层刻蚀方法，其特征在于，所述主刻蚀时，通入主要刻蚀气体的同时还通入微调气体，所述微调气体通入到晶圆的中心部分。

6.如权利要求5所述的减少刻蚀残留物的晶圆氧化层刻蚀方法，其特征在于，所述过刻蚀时，通入主要刻蚀气体的同时还通入微调气体，所述微调气体通入到晶圆的中心部分。

7.如权利要求1或2所述的减少刻蚀残留物的晶圆氧化层刻蚀方法，其特征在于，所述主要刻蚀气体包括Ar、C₄F₆、O₂。

8.如权利要求7所述的减少刻蚀残留物的晶圆氧化层刻蚀方法，其特征在于，所述Ar的流量为0-1000sccm，所述C₄F₆的流量为0-100sccm，所述O₂的流量为27-36sccm。

9.如权利要求5所述的减少刻蚀残留物的晶圆氧化层刻蚀方法，其特征在于，所述主刻蚀时的微调气体可为C₄F₆、CH₂F₂及O₂的任意组合或其中任一种。

10.如权利要求6所述的减少刻蚀残留物的晶圆氧化层刻蚀方法，其特征在于，所述过刻蚀时的微调气体可为C₄F₆、CH₂F₂及O₂的任意组合或其中任一种。

11.如权利要求5所述的减少刻蚀残留物的晶圆氧化层刻蚀方法，其特征在于，所述微调气体的气体流量为0-10sccm。

12.如权利要求6所述的减少刻蚀残留物的晶圆氧化层刻蚀方法，其特征在于，所述微调气体的气体流量为0-10sccm。

13.如权利要求1所述的减少刻蚀残留物的晶圆氧化层刻蚀方法，其特征在于，所述主刻蚀时，偏置电压为1000-1500w，解离电压为200-500w，刻蚀反应腔的压力为10-500mt，工艺时间为70-80s。

14.如权利要求2所述的减少刻蚀残留物的晶圆氧化层刻蚀方法，其特征在于，所述过刻蚀时，偏置电压为1000-1500w，解离电压为200-500w，刻蚀反应腔的压力为10-500mt，工艺时间为60-70s。