[发明专利]低温多晶硅薄膜及其制造方法、晶体管和显示装置

权利要求书

1.一种低温多晶硅薄膜制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板，并在所述基板上形成一缓冲层；

在缓冲层之上沉积第一非晶硅薄膜；

在所述第一非晶硅薄膜之上涂覆催化剂颗粒；

沉积第二非晶硅薄膜，所述第二非晶硅薄膜覆盖所述第一非晶硅薄膜和催化剂颗粒；

对所述第一非晶硅薄膜和第二非晶硅薄膜进行结晶化，使之结晶形成低温多晶硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制造方法，其特征在于，所述在所述基板上形成一缓冲层为：

在所述基板上形成氧化硅层作为缓冲层。

3.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜制造方法，其特征在于，所述催化剂颗粒包括Ni、Cu、Al、Er或Cr。

4.一种低温多晶硅薄膜，其特征在于，采用权利要求1～3任一所述的低温多晶硅薄膜制造方法所制得。

5.一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括：

基板；

半导体层，由权利要求4所述的低温多晶硅薄膜构成，形成在所述基板的上方；所述半导体层包括源极区、漏极区以及位于所述源极区和漏极区之间的沟道区；

栅绝缘层和栅极，依次形成在所述半导体区域的上层，所述栅极对应于所述沟道区的位置；

介电层，形成在所述栅极和栅绝缘层的上方，且所述介电层中形成有第一过孔和第二过孔，源极金属通过所述第一过孔与所述源极区连接，漏极金属通过所述第二过孔与所述漏极区连接。

6.一种显示装置，包括基板，其特征在于，所述基板上形成有权利要求5所述的低温多晶硅薄膜晶体管。