[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：

第一电极；

第一层，设置在所述第一电极上，并且具有第一导电型；

第二层，设置在所述第一层上，并且具有与所述第一导电型不同的第二导电型；

第三层，设置在所述第二层上；

第二电极，设置在所述第三层上；以及

第四层，设置在所述第二层和所述第三层之间，并且具有所述第二导电型，

所述第三层包含：

第一部分，具有所述第二导电型，并且具有比所述第二层的杂质浓度的峰值高的杂质浓度的峰值；以及

第二部分，具有所述第一导电型，

所述第二部分的面积相对于所述第一和第二部分的总面积所占的比例是20％以上95％以下。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第四层的杂质浓度的峰值比所述第二层的杂质浓度的峰值高，并且比所述第三层的所述第一部分的杂质浓度的峰值低。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第四层含有的导电型杂质仅是所述第二导电型的导电型杂质。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第四层包含：第三部分，位于所述第一部分上；以及第四部分，位于所述第二部分上，

所述第四部分的杂质浓度的峰值相对于所述第二部分的杂质浓度的峰值的比是0.001以上0.1以下。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第四层的所述第三部分的杂质浓度的峰值比所述第四层的所述第四部分的杂质浓度的峰值高。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一部分的杂质浓度的峰值比所述第二部分的杂质浓度的峰值高。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，还具备：

第五层，设置在所述第一层和所述第二层之间，并且具有所述第二导电型；以及

沟槽结构，贯通所述第一和第五层。

8.一种半导体装置，具有：

第一电极；

第一层，设置在所述第一电极上，并且具有第一导电型；

第二层，设置在所述第一层上，并且具有与所述第一导电型不同的第二导电型；以及

第三层，设置在所述第二层上，并且具有第一部分，

所述第一部分具有所述第二导电型，并且具有比所述第二层的杂质浓度的峰值高的杂质浓度的峰值，

该半导体装置还具有：

第二电极，设置在所述第三层上；以及

沟槽结构，设置在所述第一部分中，并且将所述第二电极的电位作为基准被施加正的电位。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述沟槽结构贯通所述第一部分。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，在所述第二层和所述第三层之间，还具有：第四层，具有所述第二导电型，并且具有比所述第二层的杂质浓度的峰值高的杂质浓度的峰值，并且具有比所述第一部分的杂质浓度的峰值低的杂质浓度的峰值。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，所述沟槽结构贯通所述第一部分和所述第四层。

12.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第三层包含：具有所述第一导电型的第二部分。